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2016-05-14 发布于湖北
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西工大cmos实验报告.pdf

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CMOS模拟集成电路实验报告学号： 2011303620 姓名：李慧班级：组员：日期： 2013.11.9 实验一 MOS管特性分析 , 32 MODEL。无说明情况下实验采用课本页给出的 NMOS LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9e+14LD=0.08e-6U0=350 LAMBDA=0.1 TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9JS=1.0e-8 PMOS LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 NSUB=5e+14LD=0.09e-6U0=100 LAMBDA=0.2 TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11 MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8 作业： 1、执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS 的栅源电压为1.2V时， PMOS源栅电压等于1.2V时，分别仿真得出二者漏电流特性曲线。这种情况下，手工计算出对于NMOS，当V =1V时漏电流、跨导的值；对于PMOSV =1V DS SD 时漏电流、跨导的值。并与仿真结果比较。 1u 沟道长度设置为，观察器件的漏电流有怎样的变化？ a. 1-1 1-2 1-3 1-4 答：执行示例中的仿真程序，给出仿真结果如图，图，图和图所示。示例的仿真程序： **************modelNMOS************************ .MODELNMOS NMOS( +LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14LD=0.08e-6U0=350 LAMBDA=0.1 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 +MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9JS=1.0e-8) **************modelPMOS************************ .MODELPMOS PMOS( +LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 +NSUB=5e+14LD=0.09e-6U0=100 LAMBDA=0.2 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11 +MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9JS=0.5e-8) ************************************************ **************netlist***************************** M1DNGNSNBN NMOSW=1uL=0.5u M2DPGPSPBP PMOSW=1uL=0.5u **************source***************** VDSNDNSN 0 VGSNGNSN 0 VSN