数字集成电路_课件3资料.pptVIP

下载本文档

9
0
约小于1千字
约 18页
2016-04-25 发布于湖北
举报
版权申诉

数字集成电路_课件3资料.ppt

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第三章制造和版图 3.1 IC制造工艺 3.2 版图基础 3.1 IC制造工艺单（N）阱槽隔离 CMOS 工艺现代 CMOS 工艺—双阱槽隔离多层金属互连互连的电容和电阻电容计算中的连线尺寸工艺等比例缩小时的互连线横截面 3.2 版图基础两类设计规则：精度和定位最小尺寸晶体管的两种可选版图 CMOS 工艺层次 0.25 μm CMOS 工艺层次同一层设计规则晶体管版图设计规则通孔（Via）和接触孔（ Contact）选择层（离子注入等） CMOS 反相器版图 * * Layer Polysilicon Metal1 Metal2 Contact To Poly Contact To Diffusion Via Well (p,n) Active Area (n+,p+) Color Representation Yellow Green Red Blue Magenta Black Black Black Select (p+,n+) Green 金属2 Metal2 4 3 10 9 0 阱Well 有源区 Active 3 3 多晶硅 Polysilicon 2 2 不等电势 Different Potential 等电势 Same Potential 金属1 Metal1 3 3 2 引线孔Contact 或通孔Via 选择层 Select 2 或 6 2 1 2 5 3 晶体管 Transistor 1 2 1 金属包通孔（过孔） Metal to Poly Contact 金属包多晶引线孔金属包有源区引线孔 Metal to Active Contact 1 2 5 4 3 2 2 1 3 3 2 2 2 阱Well 衬底Substrate 选择 Select 3 5