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奈米压印(微影)技术简介.ppt
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 次波長光學元件(SOE)：繞射光柵 Source: Lightwave (Oct 2002)52-58 * Fresnel Zone Plate：同心環型光柵 Source: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 673-675 120nm-PMMA Cr/Au 光阻：120 nm PMMA 熱壓：175?C、645 psi 光柵週期：100 nm、150 nm 光柵間距：20 nm * 微環光學共振器 Source: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 2862-2866 * 有機半導體材料：導電圖案 Source: J. Vac. Sci. Technol. B19 (2001) 487-489 材料：1?m-PMMA80PANI20 熱壓：150 bar、140?C、10min 深度：500nm 線寬/間距：5?m 1?m-PMMA80PANI20 熱壓前 熱壓後 RIE後 RIE前 移除殘存厚度光阻 未蝕刻前 差異為2倍 * 有機薄膜電晶體 (OTFT) Source: Microelectron. Eng. 67-68 (2003) 845-852 (40~80nm) (100~300nm) (4“ P型) Contact: Ni W: 1000?m L: 5?m Pentance: 60nm PMMA厚度 1000nm?400nm 壓力100 bar 殘存厚度100nm 蝕刻O2 RIE 2min 硬烤130?C 45min 蝕刻液 1 HCl : 3 HNO3 * 熱壓之高分子厚度：100nm 接觸：4nm-Cr/20nm-Au P3HT厚度 - 旋轉塗佈法為50nm 遷移率10-5 cm2/Vs - 鑄造法為5-10nm 遷移率10-3 cm2/Vs Source: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 4431-4433 有機薄膜電晶體 (OTFT) * 有機電激發光材料：圖案化 Source: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2767-2769 材料：200nm-Alq3/DCMII 基板：PMMA 熱壓：800 psi、150?C、15min 200nm週期 300nm週期 200nm週期 PL光譜 * 有機電激發光元件 Source: J. Vac. Sci. Technol. B20 (2002) 2877-2880 50 kg/cm2, 175?C, 5 min O2 RIE ITO/PEDOT-PPS/red emissive/Al 發光面積：5 mm2 * 有機電激發光元件：光子晶體(可能應用) Source: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3779-3781 無光子晶體結構 有光子晶體結構 光子晶體結構促進OLED外部量子發光效率達50%以上 * 金氧半導體場效電晶體 (MOSFET) Source: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1881-1883 200 nm 175?C, 45 bar 100 nm寬度 線通道 250 nm直徑 量子點通道 100 nm寬度 環通道 100 nm寬度線通道 * 高頻低雜訊 III-V 族電晶體 Source: Microelectronic Engineering 67–68 (2003) 189–195 * GaAs 金屬-半導體-金屬 (MSM) 光偵測器 間距：300 nm、600 nm 面積：14?14 ?m 175?C 175?C 不同的入射光強度 Source: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2381-2383 * 磁預錄碟片 Source: IEEE Trans. Magnetics 38 (2002) 1949-1951 光阻之螺旋條帶 500 nm 共聚物之相分離 Co74Cr6Pt20圖案 2.5吋玻璃板 40 nm直徑 40nm-Co74Cr6Pt20/40nm-Ti 原始狀態 蝕刻3min 蝕刻6min * 奈米光碟 光碟儲存密度：400 Gbit/in2 Source: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 3174-3176 * 分子元件之奈米接觸點 Source: J. Vac. Sci. Technol. B20 (2002) 665-667 *
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