Array工艺原理及工程检查-清洗、PR概述摘要.ppt

* 1. 工艺篇 内容： 2. 检查篇 3. 不良篇 4. 材料篇 * Particle检查： 1、工艺检查： 1、测定装置： ORBOTECH FPI-6590 型AOI 2、流程： Cr/Glass 初值 Resist/Cr/Glass 末值 末值微观异常 3、规格判定：增加数量、分布、particle尺寸 * 膜厚检查： 1、工艺检查： 1、测定装置： NanoSpec/AFT 6500 2、测定原理： 通过测定透明膜上下表面的光程差来计算出膜厚 3、判定规格： 膜厚Mean、Range * 接触角测定： 1、工艺检查： 1、测定装置： PG-X?便携式接触角测试仪 2、测定原理： 2r d α θ＝2α=2arctg(r/d) θ * 2、产品检查： 工程 项目 目的 G-PR DI-PR C-PR PI-PR * 1. 工艺篇 内容： 2. 检查篇 3. 不良篇 4. 材料篇 * a-Si残留 ITO short 微观 显示 ... 成因(PR) Resist膜下.内.上异物... Resist膜上异物 1、点缺陷： * D断线 D-D short 微观 显示 成因(PR) Resist膜下异物，resist与下层膜密着差… Resist膜下.内.上异物... 2、线缺陷： * K-Mura ...Mura 微观 ... 显示 成因(PR) 膜厚不均，显影不均，预烘不均，曝光不均… ... 3、显示不良： * 1. 工艺篇 内容： 2. 检查篇 3. 不良篇 4. 材料篇 * 1、光刻胶： 光刻胶基础知识： * 1、光刻胶： 光刻胶评价相关： 1.膜厚均一性 2.涂布不匀 3.显影不匀 4.显影膜减量 5.线幅均一性：G/DI各工程 6.密着性（边缘刻蚀量） 7.光刻胶感度（沟道残膜） 8.形状稳定性（耐温性） * 1.膜厚均一性 注：光刻胶批号 Reference：44801L24 Resist1： 51001C07 Resist2： 51002C08 Resist3： 51003C09 * 2.涂布不匀 * 3.显影不匀 * 4.显影膜减量-1):涂布→测量→显影→测量 * 4.显影膜减量-2):涂布＋显影后膜厚均一性 * 5-1).线幅均一性 -1 * 5-2).线幅均一性 -2 * 6.Resist密着性(Side Etching量) * 7.Resist感度(Resist残膜) * 7.Resist感度(Resist残膜) * 完 * Inline PR概述 * 1. 工艺篇 内容： 2. 检查篇 3. 不良篇 4. 材料篇 * PR工程功能： ◎膜をＰａｔｔｅｒｎｉｎｇする為のＥｔｃｈｉｎｇ Ｍａｓｋの形成 Photolithography 工程 　①Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ涂布 　②曝光 　③显影 基板 膜 Ｅｔｃｈｉｎｇ 剥离 Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ * 装置概要： SK-1100G 装置概要图 * Inline PR SK1100G由洗净、涂覆、曝光、显影四大部分组成。 洗净： Excimer UV →RB＋AAJet→直水Spray→A/k 涂覆： 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→减压干燥→端面清洗→前烘 显影：显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K →后烘 工艺流程介绍： * 1、洗净： 流程与装置概要： * EUV洗净原理: 1、洗净： * N2 Excimer Lamp 石英玻璃 排气 基板 ◆可调工艺参数： 1、基板传送速度 2、UV灯照度 3、Chamber内排气压力 EUV洗净: 1、洗净： * 1、洗净： 工艺参数控制： * EUV洗净: 1、洗净： * Brush洗净: 1、洗净： 碱液 Roll Brush ◆可调工艺参数： 1、基板传送速度 2、Brush压入量 3、药液温度 * 1、洗净： 工艺参数控制： * 2流体洗净: 1、洗净： 2流体 ◆可调工艺参数： 1、干燥空气压力 2、纯水压力 * A/K干燥: 1、洗净： 干燥空气 ◆可调工艺参数： 上下风刀的压力 (但必须保持上下压差0.02MPa) * Ｓｐｉｎ HMDS涂覆 光刻胶密着性提高 利用Thinner把不要的光刻胶 除去 端面清洗 Ｐｒｅｂａｋｅ 挥发掉Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ中的溶剂成分 排气 减压干燥 降低基板支持Ｐｉｎ痕Mura，提高EBR效果 Slit 2、涂布： 流程与装置概要： * 除水干燥： 基板洗净经A/K干燥后，表面仍附有水分存在，为防止光刻胶涂覆前水分附着带来的影响产生，首先流入HP单元进行干燥，经过加热