PSSI性能分析测试2.docVIP

PSSI2021SAY 恒流芯片性能分析测试 测试条件： 表（1） 项目 条件 备注 测试温度 室温25度左右 ±3度变化范围 测试工具 万用表 电源 可调稳压开关电源 测试环境 面包板实验 连接电路： 参数范围测试 由于测试条件所限，以下数据相对变化规律比绝对数值更有价值。绝对数值无法确认是否准确。 表（2） 项目 范围 备注（无备注均为实测结果） Min Max 输出电流 Io mA 0.018 30 工作电压 Vcc V 10 75 Max为原始资料提供 外部电阻 Rext Ohm 0 ∞ 负载电阻 RL Ohm 0 / 最大值视输出电流而定 各参数值的相互影响规律测试 Rext对Io的调节曲线 条件：VS=24V，负载RL分别设定三个数量级的代表值（110ohm、1.5kohm，10kohm）分别做三次实验，做三条曲线。 测试方法：保持VS恒定，固定RL=110ohm，串联电流表（已考虑内阻），调节Rext观察Io的跟随曲线。然后分别重复RL=1.5kohm，10kohm的情况。 测试曲线 缩小坐标放大拐点： 结论 Io和Urext受Rext的影响变化很不均匀，在Rext较小的情况下，随着Rext的变化Io和Urext变化率过大，Rext调整的灵敏度很大不便于调节；在Rext较大时，随着Rext的变化Io和Urext变化率过小，Rext调整的灵敏度很小同样不便于调节，也就是说Rext有合适灵敏度的调整区间很小，所能引起电流调节的范围也很小。 当负载RL=1.5kohm这样的数量级时，Rext对Io的可灵敏调节范围最大，为（0,600ohm）。而RL=110ohm和10kohm在这两个数量级时，Rext对Io的可灵敏调节范围比较小。整体来说，Rext对Io的可灵敏调节范围不大。这一点和芯片资料上所给特性曲线（下图fig3，VS=12V时）基本吻合。 稳定性测试 Io（输出电流，同表2以下不在备注）随Rl的变化情况 条件：VS=24V恒定， 测试方法：在负载RL为5Kohm的情况下，调整Rext使输出电流Io达到2mA，再保持Rext不变，调整RL从50ohm到45Kohm观察Io的变化。 测试曲线 图（1） 图（2）在恒流范围内的Io波动情况对比 结论： 由图（1）可以看到，电流越小越稳定，波动越小，且电流越小横流范围越大。电流1.5mA电流恒流区间为负载50到1Kohm，1.5mA恒流区间50到1.5Kohm，1mA恒流区间50到2.4Kohm，更小电流的区间已经超过图中显示45Kohm，总之，电流越小横流特性越好。 恒流特性从负载角度来说，负载较小恒流特性较好，小负载对不同大小的电流均有恒流作用，大负载只对较小电流有恒流作用。 观察Vs变化对Io的影响 条件：固定负载RL=3.52Kohm, 测试过程： 设定Rext=1ohm时，调整Vs从4V变化到30V过程中Io的变化趋势。其他条件不变，改变设定Rext分别为1ohm到无穷图示各值，分别观察Io随Vs的变化趋势。因RL不变，Rext是确定Io的唯一因素，所以下图显示的就是不同设定电流情况下Io随Vs变化稳定程度的曲线。 测试曲线 缩小坐标放大曲线： 备注：Io24表示在Vs=24v时的Io值。圈出部分下图放大细节。 备注：上图变化率计算公式为：向上平均变化率=(Io30-Io24)/Io24/6*100%,其他以此类推。Ioxx表示在VS=xxV时的Io值。 结论： 输出电流越小，对Vs变化的抗拒越小即恒流特性越稳定。图中显示在3000uA以下均有很好的恒流稳定特性，受Vs的影响很小 在Rext=100ohm情况下，Io受Vs影响较大，但基本上呈线性影响，变化率约为3.6Kohm，相对于24V电流受Vs影响的变化百分比约为4.15%，REXT=300ohm的相对于Vs=24V时变化百分比在0.7%以下。 对温度变化测试 说明：实验过程中均有温度记录，但数据表现和温度记录基本上无关，室温是24.5度到30度之间波动，但数据表现大体都为为随着运行时间增加而上升的趋势。芯片温度无法测到所以关于温度对芯片性能的影响只能定性无法定量。定性的说，随着温度上升输出电流Io也呈上升趋势。 理论值与实测值差别比较 测试条件与过程：RL=5kohm，VS=4到30V不同值选定一个特定值的情况下，改变Rext观察测试值与理论值的差别。 测试曲线： 注：上面两图用对数坐标也是一样效果看，曲线还是分不开，仍挤在一起。 结论： 由上图可以看到，黑线为Io的计算值，前两个点即Rext为1ohm和10ohm时，理论值与实测值差距较大，其他情况相对较小。 取消计算值，细化坐标作图后发现，测试值也是在前两个点差距较大，这和前面所得出的结论一致，即Rext