InN半导体纳米晶相变活化能的研究.pdfVIP

下载本文档

7
0
约1.52万字
约 5页
2016-02-06 发布于河南
举报
版权申诉

InN半导体纳米晶相变活化能的研究.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

InN半导体纳米晶相变活化能的研究.pdf

第38卷第2期山东大学学报(工学版) 2008年4月 V01．38No．2 lo、豫N地OFSHANDONGUNIVERSITY(ENGINEERINGSCIENCE) Ap．2008 文章编号：1672-3961(200B)02-0042-03 InN半导体纳米晶相变活化能的研究王建平1，王淑华2，耿贵立3 (1．山东商业职业技术学院工程技术系，山东济南250103；2．山东建筑大学机电学院，山东济南250101； 3．山东大学材料科学与工程学院，山东济南250061) 摘要：导出了相变活化能E与加热速率西和峰值温度瓦的关系表述式．用差示扫描量热分析法，研究了hN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数乙．然后根据导出的关系表达式和实验数据。计算所得的h|N半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1．3466×103kJ／m01．关键词：InN半导体纳米晶；差示扫描量热法；相变；活化能中图分类号：TB94；TB99。文献标志码：A onthetransformationactivationinInN Study energy semiconductor nanocrystals WANG Shu一蚶，GENGGui．1i3 Jian．pin91，WANG BusinessVocational-Technical (1．EngineeringDepartment，Shandong School，Jinan250103，‰； ofMechanicalandElectronic Jianzhu 2．College Erlgir联斌llg，ShandongUniversity，Jinan250101，China； 3．School0fMaterialsScienceand 250061，China) Engi,僦,ing，ShandongUniversity，Jinaa ktweelltransfommfionactivation rate垂and induced． AI删：11le E，heatiIlg peak relatiomhip energy temperature乙WSB The flx，mtheloom cubic the tern- characteristic studied high duringthe牌0fcha．sing temperatureplll雠to para／nG抛r墨was InN at in differential different pemmrek嬲删phasesemiconductor瑾mocry啦alsb，r acarmingcalorimetry k崩119rates．Acc嗽 totheinduced and calculatedtransfonmfionact