808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术.pdfVIP

第17卷第1期 光学精密工程 V01．17No．1 andPrecision 2009年1月 Optics Engineering Jan．2009 文章编号1004—924X(2009)01—0008—06 808 nm和980 am半导体激光迭阵波长耦合技术 云1，秦 莉1，王立军1 顾媛媛1’2，冯广智1’2，单肖楠1’2，邓鑫李1’2，尹红贺1，刘 长春130033； (1．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 2．中国科学院研究生院，北京100039) 摘要：为提高半导体激光器输出光功率，可将多个半导体激光器输出光束耦合成一束激光直接输出或者由光纤耦合输 出，以提高半导体激光源的亮度及光束质量。本文采用波长耦合技术进行激光合束，将两种不同波长的半导体激光束通 过非相干技术经波长耦合器件耦合输出以实现大功率高效率输出。介绍了非相干耦合技术中波长耦合原理及关键技 术，根据波长需要设计了耦合器件。并自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦。实验将808nm和980nm两半导体激光 mm×3 迭阵光束通过上述技术进行合束，最终实观r匹高功率输出，耦合效率达70％。光斑大小为3 mm，可满足将半 导体激光器直接应用于熔覆、焊接等场合的嘤求。 关键词：激光技术；半导体激光器；非相干耦合；波长耦合 中图分类号：TN248．4文献标识码：A am 808amand980 laserdiodestackwith highpower wavelengthcoupling GU zhil～，SHANXiao—nanl”， Yuan—yuanl”．FENGGuang DENGXin—lil“。YIN Lil，WANG Hong—hel。LIUYunl，QIN Li—junl Institute Mechanicsand (1．ChangchunofOptics，Fine Physics，ChineseAcademy 130033，China； ofSciences，Changchun 2．Graduate Chinese 100039，China) Universityof AcademyofSciences，Beijing laserdiodesbasedonGaAssemiconductorbarsarewellestablishedasreliable Abstract：High—power laser ofsemiconductorlasersinthelaser and efficientsources．As highly increasingapplications pro— laserdiode hasnotsatisfiedfortheactual th