CIGS薄膜及工艺重复性探讨.pdf

摘 要 的最有前景的薄膜太阳电池之一。目前其最高效率已经达到18．8％。它 一种多晶化合物异质结，由于其晶体组成多，晶粒结构比较复杂，其 工艺重复性一直是当前面临的重大课题。特别是作为吸收层的 Cu(In，Ga)Se，材料，它的制备受到各种工艺参数的影响。 本论文是在大量实验的基础上，通过分析“三步工艺法”所存在 的问题，并结合电池内部反应机理，成功的解决了Ga的掺入问题。并 在此基础上，通过对衬底温度、se化蒸发条件等关键工艺参量进行分 的最终解决做出了探索性研究。 、／ 、／ 、／ Ga的掺入衬底瘟度Se化案件工艺重复性 关键词：Cu(In，Ga)Se。2 Abstract Duetoits and conversion prominentstabilityhign efficiency, is solarcell asoneofthe favorable Cu(In，Ga)SeE／CdS recognized most developing conversion hasreached18．8％andis prosperity．Its efficiency to solar ready cellisa chemical industrialization．Cu(In，Ga)Se2polycrystal heterojunction．Itsisa compound reproducibilitymagnitude problem，es— its for absorberwhichfabricationisaffected pecially layer by manyprocess parameters． Thisthesisisfinishedonalotof the basing experiments．We analyzed andsucceededin the ofGa． problemin”three—step”technology solvingdope Different and are to conditioncontrasted underlay selenylation temperature the inchemicalcombinateelements