ISE关于BlockRAM的设计流程.ppt

7.4 基于IP Core的Block RAM设计 7.4 基于IP Core的Block RAM设计 本节介绍基于IP Core的Block RAM设计，由于Block RAM属于特殊结构，使用Xilinx公司提供的IP Core是比较方便的，而且灵活、高效、不容易出错（IP Core的使用请见3.1.4节）。 7.4.1双端口块RAM（Dual-Port Block RAM） 双端口RAM的特性 Virtex、Virtex-E、Virtex-II、Virtex-IIPro、Spartan、Spartan-II、Spartan-IIE和Spartan-3系列的FPGA都嵌入了Block RAM。 支持所有3种Virtex-II写模式 :Read-After-Write、Read-Before-Write和 No-Read-On-Write（只适用于Virtex-II和Spartan-3） 支持RAM和ROM功能。 支持1到256BIT的数据端口宽度。 根据选择的不同结构，支持1到2M字的存储深度。 支持ROM功能，两个端口可以同时对一个地址的数据进行读操作。 支持RAM功能，两个端口可以同时对不同的地址进行写操作，或者对同一地址进行读操作。 两个端口是完全独立的。 支持A、B端口的不对称配置。 支持CORE设计或者使用SelectRAM+ 、 SelectRAM-II 库原语以求面积优化。 支持不同极性的控制信号引脚：时钟（clock）、 使能（enable）, 写使能（write enable） 和输出初使化（output initialization）引脚。 结合Xilinx的Smart-IP技术使设计更灵活，最优化实现。 2．双端口RAM的功能描述 Dual-Port Block RAM是由一块或多块叫做Select-RAM+?的4Kb存储块组成的。Virtex-II和Spartan-3系列的Dual-Port Block RAM是由一块或多块16 Kb存储块（SelectRAM-II?）组成的，能构成更宽或者更深的存储器设计。Select-RAM+? 和SelectRAM-II?都是真正的双端口RAM，为Spartan-II和Virtex系列家族的芯片提供快速、离散的而且足够大的块RAM。因为Spartan-II和Virtex都使用4Kb的Select-RAM+?存储块，所以任何涉及到Virtex能实现的RAM，都可以在Spartan-II、Virtex-E、Virtex-II、Virtex-IIPro、Spartan-IIE系列中实现。 每个存储器含有两个完全独立的端口A和B，两个端口享有同时访问存储器中同一地址的能力，存储器的深度和宽度由使用者自己定义。两个端口在功能上是完全一样，都可以对存储器进行读写操作。两个端口可以同时对存储器的同一地址进行读操作，如果对同一地址进行操作，一个端口读，一个端口写，那么写操作成功，而读出的数据是无效的。 根据使用者的定义，可以配置端口A和端口B的数据宽度和地址宽度。当两个端口被禁用时（ENA和ENB无效），存储器中的数据和输出端口将保持不变。当两个端口可用时（ENA和ENB有效），对存储器的所有操作将在输入时钟的边沿触发。 进行写操作时（WEA或WEB有效），相应数据端口的数据将写入地址端口所指定的存储地址中。 在这个操作中，Spartan-II/Virtex和Virtex-II系列的块RAM的输出端口的动作并不相同。 Virtex-II和Spartan-3系列的块RAM的输出端口的具体实现要根据“写模式”的设置而定。Virtex-II和Spartan-3系列的块RAM支持3种“写模式”，每种模式决定了输出端口在写操作发生后将如何作出反应。 Spartan-II和Virtex系列的块RAM只支持一种“写模式”：Read-After-Write。这种写模式使写入的数据在写操作后呈现在输出端口。 在读操作时，地址输入端口指定的地址上的数据在输出端口输出。当同步初始化（Synchronous Initialization(SINITA或SINITB)）有效时，有锁存器的输出端口将被同步初始化，Spartan-II和Virtex系列将被初始化为0，Virtex-II系列将被初始化为使用者事先定义的数据。同步初始化操作并不影响存储器中的数据，也不会与写操作发生冲突。 使能，写使能和同步初始化可以被定义为高电平有效或者低电平有效。 3．双端口RAM的引脚 双端口RAM的Core引脚如图7.4.1所示。 双端口RAM的Core引脚的具体含义列表于表7.4.1。 7.4.2 使用IP Core生成双端口RAM Xilinx提供了