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第38卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．38 No．3 2009年6月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS June．2009 多晶Cu(In，Ga)See薄膜太阳电池 光强特性的研究 刘芳芳，孙 云，张 力，李长健，乔在祥，何 青，王 赫 (南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津 300071) 摘要：本文系统研究了cu(In，Ga)se(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为 10—100mW／cm2范围内的性能参数。结果 表明，随光强的减弱，CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减；电池参数与光 强的依赖关系可明显划分为两个阶段：光强高于75mW／cm2时，电池性能变化不大；当光强低于70mW／cm2时，电池 性能衰减明显。这是由于随着光强的降低， (串联电阻)值和R。(并联电阻)值都在升高。其中，R。值的增大使得 CIGS电池的弱光特性变好，但较小的R 值并不能弥补 所导致电池性能的衰退。最后 ，发现高Ga含量的CIGS薄 膜电池(8．7％)比低Ga含量 (6．9％)的电池弱光特性好。 关键词：CIGS薄膜；太阳电池；光强特性；弱光特性 中图分类号：TM615 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2009)03-576-05 StudyonPerformanceofPolycrystallineCu(In，Ga)Se2 SolarCellsunderDifferentIrradiance LIU ng扣ng，SUNYun，ZHANGLi，LiChang-jian，QIAOZai—xiang，HEQing，WANGHe (TianjinKeyLaboratoryofPhotoelectronicThinfilmDeviceandTechnology，NnakaiUniversity，Tianjin300071，China) (Received16June2008；accepted20October2008) Abstract：TheparametersofCu(In，Ga)Se2(CIGS)thin—film solarcellsunderdifferentirradianee conditions(from10mW／cm to100mW／cm )werereposedinthispaper．Byloweringtheirradiancefrom standardtestconditionstowards10 mW ／cm ，theperformanceofthecellsisgraduallyreduced．This declineisntnotablewhentheirradianceisabove75mW ／cm ，andbecomesobviouswhentheirradianeeis below70mW／em．Moreover，comparingtolowGa-content(6．9％)cell，thehighGa—content(8．7％) hasthebetterperfomranceunderlowirradiance．Fuaherinvestigationshowsthattheseriesresistance(Rs) andpraallelresistance(RsH)raeallincreasewithdecreasingofirradiance．Thelatterbehaviorisbenefitfor thecell，butthevalueofRsHiStoolOWtomakeupofrtheperfomr ancedeclineoftheCIGScells． Keywords：Cu(In，G