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《《低折射率纳米多孔二氧化硅薄膜的疏水性》》.pdf
维普资讯
第36卷第 2期 硅 酸 盐 学 报 VO1．36，NO．2
2008年 2月 JOURNALOFTHECH11ESECERAMIC SoCIETY February，2008
低折射率纳米多孔二氧化硅薄膜的疏水性
姚兰芳L2，鲁凤芹 ，岳春晓1，沈 军 ，吴广明
(1．上海理工大学理学院物理系，上海 200093；2．同济大学波耳固体物理研究所，上海 200092)
摘 要：采用溶胶壤 胶技术，通过HC1控制酸性的酸，酸二步法，以十六烷基三 甲基溴化氨为模板剂，正硅酸乙酯为硅源，以及水、盐酸等为原料，
制备二氧化硅前驱体溶胶 。用甲基三 乙氧基硅烷(methy eIhoxysi1ane，MTES)改性，制备疏水型 SiO2前驱体溶胶。结果表明：采用MTES改性制备的
二氧化硅薄膜的疏水性能、光学性能、力学性能等各项性能效果更好；通过简单提拉、迅速蒸发溶剂等方法制备的疏水薄膜的折射率为 1．1O，且在
1．1~1．38之间连续可调，根据测得的折射率，计算的气孔率高达 81．8％，介电常数为 1．77。其红外光谱表明，所制备的薄膜由于掺入甲基基团而疏水，
水滴在薄膜表面上的照片的结果进一步支持这一结论。
关键词：溶胶—凝胶；多孔二氧化硅；低折射率；疏水： 甲基三乙氧基硅烷
中圈分类号：0469 文献标识码：A 文章编号：0454-5648(2008)02-01394)5
HYDRoPHoBICBEHA oR 0FlNANopoRoUSSⅡJCAFⅡM S 唧 LoW RE RACTIVE肿 EX
YA0Lanfang一，LUFengqin，YUEChunxiao，SHENJun，WUGuangraing2
(1．DepartmentofPhysics，ScienceCollege，UniversityofShanghaiforSciencenadTechnology,200093；
2．PohlInstituteofSolidStatePhysics，TongjiUniversity,Shnahgai200092，China)
Abstract：A silicaprecursorsolwaspreparedbythesol-gelmehtodnadusingtetraehtoxysilnaeassilicasource，ceytltrimehtylam-
monittm bromideastemplatesurfaetantna dwihthydrochloricacidnadwaterasohterraw materials．]f1lesilicaprecursorsolWaShten
modifiedbymethyltriethoxysilnae(MTES)toobtainmodifide siliacsolorgamc~ly．111eresultsshowthathtemodifide siliacoslorgani-
acllymodifide bv～nESisbetterthanhtatmodifide byhexame-htyldisihazaneHMDS．Hydrophbo icnanoporoussiliac film wiht are-
fla~venidexof1．10nadadjustedfrom 1．1t01．38earbepreparde byevaporation-niducedself-aSsemblyprocessnad帆 S
modification．Theporositynaddielectricconstantofhtefilm aleabout81．8％ nad1．77．respectively．Th einfraredspectrum ofhtefilm
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