《《Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征》》.pdfVIP

与 显微 测量 微细加工技术 设备 、 、 , , MicroscopeMeasurementMicrofabricationEquipment 基 薄膜的制备方法及结构表征 Si GaN 张敬尧 李玉国 崔传文 张月甫 卓博世 , , , , 山东师范大学 物理与电子科学学院 济南 ( , 250014) 摘要 分别采用射频磁控溅射 热壁化学气相沉积 电泳沉积法制备 薄膜 利用扫 : 、 ( )、 。 CVD GaN 描电镜 荧光光谱仪对样品进行结构 形貌和发光特性的分析比较 射频磁控溅射方法 ( )、 、 。 SEM 中 把 中间层沉淀到 衬底上 目的是为了缓冲由 外延层和 衬底的晶格失配造成的 , SiC Si , GaN Si 应力 结果证实了 中间层提高了 薄膜的质量 热壁化学气相沉积法制备 晶体膜时 。 SiC GaN 。 GaN , 选择 作反应气体兼载体 有利于 膜的形成 电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构 H2 , GaN 。 的 多晶薄膜 结果表明 溅射法制备的 薄膜结晶效果好 法制备时 薄膜应 GaN 。 : GaN ;CVD GaN 用范围广 电泳沉积法操作方便 简单易行 ; 、 。 关键词 薄膜 基 溅射 化学气相沉积 电泳沉积 :GaN ;Si ; ; ; 中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( ) TN304.055 TN304.23 A 1671-4776 2008 04-0240-05 PreparationTechniquesandMicrostructureCharacterization ofGaNFilmsGrownonSiSubstrates , , , , ZhangJingyao LiYuguo CuiChuanwen ZhangYuefu ZhuoBoshi (CollegeofPhysicsandElectronics,ShandongNormalUniversity,Jinan250014,China) : Abstract GaNfilmsgrownonSisubstrateswereobtainedbyhot-wallchemicalva