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《《INFINEON-FZ800R17KE3》.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FZ 800 R 17 KF6C B2 IGBT-Modules 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1700 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 800 A DC-collector current T = 25 °C I 1300 A C C Periodischer Kollektor Spitzenstrom t = 1 ms, T = 80°C I 1600 A P C CRM repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung TC=25°C, Transistor Ptot 6,6 kW total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES +/- 20V V gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom
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