溅射气压对快速制备Y2O3种子层的影响研究.pdf

低温与超导 超导技术 Cryo．＆Supercond 第40卷第10期 Superconductivity V01．40No．10 溅射气压对快速制备Y2 03种子层的影响研究 程崛，熊杰，薛炎，夏钰东，郭培，张飞，赵晓辉，陶伯万 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054) 摘要：采用动式卷绕直流反应磁控溅射法，在双轴织构的Ni一5at％w基带上快速制备双面Y：0，种子层用于 制备高质量YBa：cu，0，一。(YBc0)涂层导体。研究了溅射气压对种子层织构和表面形貌的影响，以及不同溅射气 压条件下种子层的两面一致性。优化工艺条件之后，制备出纯c轴取向的双面Y：0，种子层，其双面面外、面内半 高宽分别为3．6。，3．4。和4．60，4．30，表面平整致密，平均晶粒尺寸约为40nm。 关键词：YBa：cu，O，一。(YBc0)涂层导体；溅射气压；面内外半高宽 Effectof onthe of seed sputteringpressurerapidpreparationY203 layer BowaIl ChengJue，XiongJie，XueYan，XiaYudong，GuoPei，ZhangFei，ZhaoXiaohui，JIao LabofE1ectronicThinFilmsand of Scienceand of Electronic (StateKey IntegratedDevices，university TechnologyChina， Chengdu610054，China) Abstract：Double—sidedwas onNi一5at％Wsubstmtereel—to—reeldiIect—curTent directly by Y203layer deposited reactive asaseed for conductors．Theinfluenceoft}le magnetronsputtering，servinglayerYBa2Cu307一。(YBC0)coated sputte— onthetextureandsud．ace ofboth detailed the sidesunderv商ous were investi— ringpressure morphology，andunifornlity pressure Inthe seed withthe gated． optimjzedprocess c—axisorienteddouble—sided wasobtained Full— conditions，pure Y203 1ayer Width outof and were atomic Half—Ma](imum(FwHM)of 3．6。，3．4。and