SiSiGeSi双异质结晶体管(HBT)的负阻特性.pdfVIP

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2015-09-30 发布于湖北
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SiSiGeSi双异质结晶体管(HBT)的负阻特性.pdf

第8 期电子学报 Voi .29 No . 8 年月 2001 8 ACTA ELECTRONICA SINICA August 2001 双异质结晶体管（）的负阻特性 Si/ SiGe/ Si HBT 1 1 1 1 2 1 1 1 1 3 张万荣，李志国，王立新，汪东，崔福现，孙英华，程尧海，陈建新，沈光地，罗晋生（北京工业大学电子系，北京；信息产业部电子第研究所，河北石家庄；西安交通大学微电子研究所，陕西西安） 1. 100022 2 . 13 050051 3 710049 摘要：同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中，在高集电极———发射极电压、大电流下，由于热电正反馈，容易发生热击穿，这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下，由于热电负反馈，重掺杂基区Si/ SiGe/ HBT 出现了负阻特性，并对这一现象进行了新的解释，认为这是由于大电流下耗散功率增加，基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果. 这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力，证明Si/ SiGe/ HBT 适于大功率应用. 关键词： SiGe/ Si 异质结双极晶体管；负阻；输出特性中图分类号：文献标识码：文章编号：（） TN322 .8 A 0372-2112 2001 08-1132-03 Negative Resistance Characteristics of Si/ Sige/ Si Double Heterojunction Bipolar Transistors 1 1 1 1 2 1 ，，，，，， ZHANG Wan-rong LI Zhi-guo WANG Li-xin WANG Dong Cui Fu-xian SUN Ying-hua 1 1 1 3 ，，， CHENG Yao-hai CHEN Jian-xin SHEN Guang-di LUO Jin-sheng （，，，； 1. Depar