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2015-09-30 发布于湖北
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FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响.pdf

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清华大学学报自然科学版年第卷第期 !# $%%%%%’( - .*%%$ ($ (,+( )# $$***+,# - .=*%%$= B($= B $+$C /012345678329 :2; 0:5 ?@A #@ DEF 中支撑对电场分布及电子轨迹的影响葛常锋于宏宇罗淑云 = = 清华大学电子工程系北京 - = $%%%G(. 摘要在场致发射显示器中加入支撑会影响真空激励阴极发射电子从而点亮阳极的荧光粉发光不 H ! % #$ = J 室内部电场分布和电子运动从而导致二次电子发射和电荷同于普通阴极射线管- .= 的阳极和阴极 ,0 %’ ) 积累效应为比较不同发射结构中这种负面影响的大小对 ’ 间距很小再考虑到他们被真空封接在一起 -$ .= 种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟采用有限元 ( ) 时内部真空度很高即使是真空室内外 -$B++ .= 37 法计算带有介质支撑墙的电场分布采用 / #$ *+,-. 气压差引起的微小形变对电场分布的影响也会是致法计算该空间电子轨迹得出了支撑墙对电子 0+112 #$ 命的为了确保整个显示区域内阴极阳极间距严格轨迹影响的数值结果模拟结果显示在三极型和四极型聚 J ’ ! 一致必须加入支撑结构焦型结构中支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射 = J % 显然支撑的引入势必对电场分布产生影响进和电荷积累效应与之相反平面型发射结构则很好地避免 =