9,9#39;-联蒽薄膜的AFM和XRD研究.pdfVIP

李建丰等：9，9-联蒽薄膜的AFM和XRD研究 9，9-联葸薄膜的AFM和XRD研究。 李建丰1，常文利1，张春林1，张福甲2 (1．兰州交通大学数理与软件工程学院，甘肃兰州730070； 2．兰州大学物理科学与技术学院，甘肃兰州730000) 摘要： 利用常规的真空蒸发技术，在热氧化硅片的 键的作用下，相邻的两层分子存在一定程度的交叠，岛 衬底上制备了不同的衬底温度、蒸发温度和蒸发时间 与岛相互连接构成岛的通道，最后形成薄膜。在衬底 条件下的9，9『_联蒽有机薄膜。用原子力显微镜对制 温度为50℃、蒸发温度为180℃、蒸发时间为60s时获 备的9，9-联蒽薄膜形貌进行了观察，研究了9，9’一联 得了具有良好晶体特性的均匀致密的多晶薄膜，其适 蒽的生长模式，并讨论了其表面形貌及岛状晶核分布 合作有机场效应晶体管的有源层。 与生长条件之间的机理。同时，借助X射线衍射仪分 2 实 验 析了薄膜的晶体结构。结果表明，在衬底温度为 50℃、蒸发温度为180℃、蒸发时间为60s时能够获得 具有良好晶体特性的均匀致密的多晶薄膜，其适合作 化。氧化的温度为1100℃，干、湿氧交替氧化60min， 有机场效应晶体管的有源层。 关键词： 9。9，_联蒽；表面形貌；生长模式；原子力显 GD-450A型高真空镀膜机的石英舟内，蒸发源和基底 微镜 间距为15cm，用钨电阻丝加热石英舟，通过热传导加 中图分类号：TN304．5 文献标识码：A 热石英蒸发皿，在真空度为5×10-3Pa的条件下制备 文章编号：1001—9731(2010)08-1379—04 了不同沉积时间、不同衬底温度和不同蒸发温度的9， l 引 言 1所示。 有机功能材料及其应用是近年来一个崭新的研究 表1样品的制备条件 方向，它体现了化学、材料、物理、电子等学科的结合， Table1 conditionfor Preparation samples 并逐渐形成一门新兴的交叉学科——有机电子学。有 样品编号 衬底温度(℃) 蒸发温度(℃) 蒸发时间(s) fieldeffecttransistors，OF- 机场效应晶体管(organic 1# 25 180 60 ETs)是有机电子学中最重要的单元器件，由于其制备 24 50 180 60 工艺简单、成本低和柔韧性好等优点，在有机显示器的 34 75 180 60 有源驱动电路、环形振荡器的逻辑门、有机传感器、存 4# 100 180 60 58 50 150 60 储器、智能卡、电子商标、电子纸等领域有着广阔的应 68 50 210 60 用前景，其研究工作进展迅速并引起了人们的广泛关 7# 50 180 ● 30 注[1。6]。当今大量的研究集中在设计合成新的用于 84 50 180 90 OFET的有机半导体材料；平衡载流子浓度；改善有机