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2015-09-30 发布于重庆
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TFTLCD制造用钼薄膜溅射及其靶材

第 35 卷第 1 期中国钼业 Vol. 35 No. 1 2011 年 2 月 CHINA MOLYBDENUM INDUSTRY February 2011 TFT － LCD 制造用钼薄膜溅射及其靶材 1 1，2 1 ，，赵宝华范海波孙院军 ( 1．， 7 10077) 金堆城钼业股份有限公司技术中心陕西西安 ( 2 ．， 7 10069) 西北大学物理系陕西西安 : ，摘要薄膜晶体管作为关键器件直接影响薄膜晶体管液晶显示器的性能钼作为电极和布线在薄膜晶体管的制。，造中具有重要应用价值本文在简要介绍薄膜晶体管液晶显示器的结构和原理基础之上重点讨论了钼在其生产、。过程中的应用钼薄膜的磁控溅射制备方法和工艺参数要求以及钼靶材的研究现状关键词: 薄膜晶体管液晶显示器; 钼薄膜; 钼靶材; 磁控溅射中图分类号: TF84 1． 2 文献标识码: A 文章编号: 1006 － 2602( 2011) 01 － 0007 － 05 MOLYBDENUM SPUTTERING FILM AND TARGET FOR TFT － LCD MANUFACTURE ZHAO Bao － hua1 ，FAN Hai － bo1 ，2 ，SUN Yuan － jun1 ( 1． Technical Center ，Jinduicheng Molybdenum Co．，Ltd．，Xi＇an 7 10077 ，Shaanxi ，China) ( 2 ． Department of Physics ，Northwest University ，Xi＇an 7 10069 ，Shaanxi ，China) Abstract: As the key component ，thin － film transistor directly determines the property of the thin － film transistor liquid crystal display ( TFT － LCD) ． As the electrode and writing material ，molybdenum has important applied val- ue in the production of TFT － LCD． Upon the fundamental structure and principle of TFT － LCD ，this manuscript emphasizes during the TFT － LCD manufacture process the application value of molybdenum ，the preparation meth- od and technical parameters of mo