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2015-09-29 发布于湖北
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ZnOP-Si异质结的光电特性研究.pdf

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ZnOP-Si异质结的光电特性研究.pdf

第29卷第11期光学学报 V01．29，No．11 2009年11月 ACTAOPTICASINICA 文章编号：0253—2239(2009)11-3232—04 ZnO／P．Si异质结的光电特性研究齐红霞1’2 陈传祥2 (1徐州师范大学物理与电子工程学院，江苏徐州221116；2济宁学院物理系，山东曲阜273155) 摘要利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜，制备zn0／Psi异质结，研究衬底温度对异质结向暗电流随着衬底温度的升高略有增加，在550℃下制备的样品具有最明显的光电效应。ZnO／P—Si异质结对可见光和紫外光呈现出不同的响应性。在可见光照射下，光电流随反向偏压急剧增大，偏压增大到某一值时，光电流增速变小，而在紫外光下，光电流有逐渐增大的趋势。根据ZnO的透射谱认为，可见光和紫外光是异质结不同的耗尽区诱导电子一空穴对产生光电流的。关键词薄膜光学；光电效应；脉冲激光沉积；ZnO 中图分类号 TN364文献标识码 A doi：10．3788／AO3232 PhotoeIectricEffectsof ZnO／P-Si Heterojunction Qi Chen Hongxial2Chuanxian92 of andElectronic Normal 22111 CollegePhysics Engineering，XuzhouUniversity，Xuzhou，Jiangsu ／1 6，China、＼ 2 273155，China ／ DepartmentofPhysics，JiningUniversity，Qufu，Shandong AbstraetZnO／P—Si arefabricated 1aser ofZn0filmsonP—Sisubstrates．The heterojunctionsbypulsed deposition substrate of400℃，500℃，550℃and600℃aretakenfortheZnOfilm the temperatures deposition．A11 show behaviorsandthereversedarkcurrentincreaseswiththesubstrate heterojunctionstypicalrectifying at550℃showsthebest effects．Therearedifferent／-V temperature．Thesampleprepared photoelectric characteristicsasthe heteroiunctioniS tovisibleand ZnO／P—Si exposed photocurrent increasesintheinitialseveral acertainreversebias the is rapidly voltages，butslowlybe