SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究.pdfVIP

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2015-09-29 发布于湖北
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SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究.pdf

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第卷第期微电子学 $ *) # ]JM-*) ^ # 年月 !) !#$%’#($%)#* =I -!) B 文章编号! # $ ’#$**()!)#$*).$* !@紫外光电探测器高反压下增益性能的研究黄莉敏!谢家纯!梁锦!孙腾达 ! !中国科学技术大学物理系$安徽合肥 !*!( ! ! 摘要! 用宽禁带半导体和金属作肖特基接触! 合金作背底!形成欧姆 A$#3$/09 =I 50:0= ! ! B 接触!研制出 # 肖特基紫外探测器$文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应 =I A$#3$/09 的高增益特性!反压下!增益可达到 #$在高反压下% 以上!探测器的光谱响 ’)] *-‘’ ’] 应曲线出现了锐上升和锐截止!在 !( *AE 之间!有非常平稳的光谱响应’在高温 )**d 无偏压下!紫外响应特性仍然保持良好$ 关键词! 宽带隙’碳化硅’肖特基接触’光谱响应’紫外探测器 ! 中图分类号! 5:*(! 文献标识码! = ! !!! ! ! (!-2: 0)-6$#/)L$84081/);$04!@N3-8/+03$-L60-0:$-$;-08, /-%6G$+$8,$/,$:F03-/$ . . $ $ $ 3=:1 K0$E0A C87G0?$POIA K8=:1 G0A /: 52A $L? B ! $ $ $ $ $ ()$*+’+$*,)$-,-)?+ I+- 4% -)$- 1,)2-#$)-Y J+$%,’- 7%),0 S++) ,%?)!*!( 4-6-7%),0 G ! ; ! ! ! % (=,-8/;- =I A$#3$/09/POJNNQ IMNT?S0JM2N OJNJL2N2PNJTR?T2U?YT0P?N2LIR0A H0L2$Y?ALR2E0P