P型透明导电SnO2薄膜的研究进展.pdf

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2015-09-29 发布于湖北
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第29卷第5期真空科学与技术学报 2009年9、10月 CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY 531 P型透明导电Sn02薄膜的研究进展倪佳苗赵修建’ 郑小林赵江 (武汉理工大学硅酸盐材料工程中心教育部重点实验室武汉430070) Latest of OxideFilms Conducting ProgressP-TypeSn02Transparent NiJiamiao，Zhao Xiaolin，Zhao Xiuji肌’，Zheng Jiang SilicateMaterialsien∞and (研laboratoryof D画r嘶 430070，Ch／na) Ministryof眈k砌l，Wuhan￡椭嘶ofTechnology，Wuhan AbstractThelatestadvanceof oxidethinfdms。鹊oneofthewide-bandsemi- p-typoSn02transparentconducting conductor reviewedina andweaknessesofa of materials，was thoughtprovokingway．Thegnengtlls varietyp-typeSn02 film basedchemical route，were growthtechniques，such鹪spraypyrolysis，magnetronsputtering，andsol—gel tentatively alsofocused of of its onfabrication mlalyzed．Discussion homogeneousp-njunctionsby impurities，andpossible印一 doping fdmwiththe of5．952D一1cm-。hasbeen Sn02 grown．The plications．Thep-type highestconductivity successfully high madeofindium with nonlinearcurrent characteristicswerealso tin戚de(ITO)films qualityp-njunctious seod voltage reported． Oxide KeywordsSn02film，P-typetransparentconductingfilm，Rev