InSb缓冲层的波纹结构及其对InSbGaAs外延薄膜电学性能的影响.pdfVIP

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2015-09-29 发布于湖北
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InSb缓冲层的波纹结构及其对InSbGaAs外延薄膜电学性能的影响.pdf

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InSb缓冲层的波纹结构及其对InSbGaAs外延薄膜电学性能的影响.pdf

第40卷第3期红外与激光工程 2011年3月 V01．40No．3 InfraredandLaser Mar．20ll Engineering 学性能的影响熊敏1。李美成2 (1．哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，黑龙江哈尔滨150001； 2．华北电力大学可再生能源学院，北京102206) 摘要：采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长了InSb外延薄膜，其中采用“二步法”制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins扩散模型对缓冲层的生长过程进行了具体演化。结合扩散模型的计算结果，通过原子力显微镜以及透射电子显微镜研究了IIlSb缓冲层表面的波纹结构对后续InSb薄膜生长的影响规律。研究表明，适当的缓冲层厚度有利于IIlSb薄膜的外延生长，缓冲层厚度超过60胁后，IIlSb薄膜表面的粗糙度明显增加，引人了大量住错导致外延薄膜的电性能下降，采用“二步法”生长30—50nm厚的InSb缓冲层比较合适。关键词：InSb薄膜；Mullins方程；分子束外延中图分类号：TB383．4文献标志码：A 文章编号：1007—2276(2011)03—04踟一04 structureofInSbbuf!f；|er anditseffectonelectrical Undulation layer ofInSb／GaAs properties epilayer xiongMinl，Li Meichen矿 ofMa吲alsScience锄d Institutcof (1．Sch∞l 1kIlIlology，Harbin15000l，Chi尬； Engine鲥ng，HarbiII 0fRe舱wable ClIi舱Elec砸cPo聃rer 2．school EneFgy，№nh 102206，Cllina) uniV铘i哆，Beijing on wim Abst髓ct：111Sb differentthjckIlessesofInSbbuffer were GaAs(001)substrates layers epilayers beam on me山od molecular Mullins’diffusionbased gmwnby脚o-stepusing epita)【y(MBE)．1k equation thecontinuum to meeVolutionofme t11einitial modelwas surl．ace