AlCuPcCu肖特基气敏二极管制备与特性.pdfVIP

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2015-09-29 发布于湖北
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第17卷第2期哈尔滨理工大学学报 V01．17No．2 2012年4月 JOURNAL0FHAR8INUNIVERSITY0FSCIENCEANDTECHNOLOGYApr．2012 Al／CuPc／Cu肖特基气敏二极管制备与特性王东兴，刘晓廉，焦兵兵，刘跃 (哈尔滨理工大学应用科学学院，黑龙江哈尔滨150080) 摘要：实验采用溅射和蒸发镀膜工艺，制备了一种新型的Al／CuPc／Cu三明治结构NO：气敏传感器．这种器件对N0，气体具有较高的敏感性，制备工艺简单，成本较低．通过研究其在N0：气体中电学特性的变化，来表征其敏感特性．研究结果表明，在10ppm的N02气体环境中，器件的正向电流明显增大．通过比较器件在空气和N0，气体中器件的肖特基势垒高度的变化，发现通入 N0，气体50分钟后，CuPc／Al势垒高度降低了60meV，正向整流电流增加77倍．关键词：肖特基；酞菁铜；敏感度；势垒高度中图分类号：TM321．5文献标志码：A Gas—sensitlVeCharacter．stiCsResearchOfAI／CuPc／Cu DiOde SChottky 吼ⅣG 肼0 ⅡU№ Do昭一咒嘲， uU觑舡砌n， Bi昭一觇愕， of ofScjenceand sclence，Harbin 150080，China) (scl啪lApplied unlve试‘y Technolo{；y，Harbin this anovel sandwich Abst强ct：In sensor，AL／CuPc／Custructure，waspreparedby experiment， N02gas and devicehas of andlow- sputteringevaporationeoatingtechnique8．ThishighsensitivityN02gas，simpleprocess ercosLSensitivechaIacteristicsofthedeviceis its ofelectrical inthe repIesentedthI曰ughchanges pmpeniesN02 resultsshowthatthe cuⅡentofthedevice increasedinthelO envimn— gas．The positive sign讯cantly ppmN02gas ment．The of ba谢er is whenthedevicewas inairand enVi- changeSchottkyheightcompared respectivelyN02gas of sensor 60 mnmentIThenconclusionwasdrawnthatCuPc／AlbaⅡier the wasreduced height gas by meV，and the curTentwas about77time