电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究.pdfVIP

光 电 子 ·激 光 第 17 卷 第 8 期 　2006 年 8 月 Vol . 17 No . 8 　Aug . 2006 　　　　　 J our n a l o f Op t oelect r onics ·L aser 　　　　　　　 ·光电子器件和系统 · 电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究 舒雄文 , 徐 　晨 , 田增霞 , 罗 　丹 , 沈光地 (北京工业大学光电子技术实验室 ,北京 100022) ( ) 摘要 :研究了沉积时真空室真空度 、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅 aSi 光学薄膜的折 射率和消光系数的影响 。结果表明 ,在 300～1 100 nm 的波长范围内,真空室真空度 、基片温度和沉积速 率越高 ,则所得 aSi 薄膜折射率越高 ,消光系数越大 。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用 a Si 膜镀制 ,发现在选择初始真空为 1E6 ×133 Pa 、基片温度为 100 ℃和沉积速率为 0 . 2 nm/ s 时所得高 反镜的光学特性比较好 ,在 808 nm 处折射率和消光系数分别为 3 . 1 和 1E3 。 ( ) 关键词 :非晶硅 aSi ; 光谱椭偏仪 ; 折射率 ; 消光系数 ; 半导体激光器 中图分类号 :O484 . 1 ;O484 . 4 + 1 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :(2006) Process Investigation of Electron Beam Evaporation Deposited Amorphous Sil i con Optical Fil ms SHU Xion gwen , XU Chen , T IAN Zen gxia , L U O Dan , SH EN Guan gdi (Op toelect ronic Technolo gy L aboratory ,Beij ing U niver sit y of Technolo gy ,Beij ing 100022 ,China) Abstract :The p ap er inve stigat e d the eff ect of the p roc e ss p aramet er s , such a s chamb er p r e ssur e ,sub strat e t emp erature and depo sition rat e ,on the op tical charact eri stic s of elec tron b e am evaporation depo sit ed amorp hous silicon optical film . It wa s found that the r e fractive index and extinction co efficient of the film