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2015-09-28 发布于重庆
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氮化镓基材料的合成研究进展

22 5 Vol. 22 No . 5 2005 9 Journal of the Graduate School of the Chinese Academy of Sciences September 2005 : 002- 75(2005) 05-0536-09 综述 2 2 3 3 彭必先钱海生岳军陈丽娟王崇臣张丽娟 ( , 00 0 ; 2 , 230026; 3 , 00029) (2003 6 7 ; 2005 20 ) PengBX, QianHS, Yue J, et al . The research progress in synthesisandapplication of gallium nitride-based materials. Jo urnal of the Grad uat e School of the Chines e A cad emy of Sciences , 2005, 22(5) : 536~ 544 氮化镓是直接带隙半导体材料, 在温下有很宽的带隙( 3139eV) . 它在光电子器件如蓝光紫外紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用. 本文系统介绍了氮化镓的各种制备方法, 对其结构和性能关系的研究, 揭示了它在半导体领域广泛且重要的应用前景. 氮化镓, 半导体, 制备方法, 应用 TN304 1 ( Gallium nitride) Ó-A AlGaIn Õ-A [ ~ 3] , , . 20 30 ; 20 60 (HVPE) , . p , , MOCVD MBE . , . . , . . 2 211 ( OVPE) MOVPE( MOCVD) [ 4~ ] . , , . (TMG) (TEG) (TMA) (TMI) , NH , N 3 2 ( ) H , , 2 Ga( CH ) ( v) + NH ( v) y GaN( s) + 3CH ( v) 3 3 3 4 [ 8, 9] [ 6, 0] 5 , : 537 . 212 ( BE) MBE . , , , ) , , . Ó-A , Õ . , GSMBE RMBE( ) [ 2] . , RF-MBE( ) ERC-MBE( ) . 213 (HVPE) HCl, GaCl , , NH ,