母线电容均压电阻的设计.pdfVIP

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2015-09-28 发布于重庆
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母线电容均压电阻的设计.pdf

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母线电容均压电阻的设计

P1.C3 – DC Capacitor Nichicon 450V/3300uF (3 Series * 4 Parallel For One Bridge) *3 *6 3300uF • 4 • 3 • 2 = 26.4 mF 3 8 P1.C4 – Voltage Divided Resistor 电容串联的不均压有两种解释电容串联的不均压有两种解释：：电容串联的不均压有两种解释电容串联的不均压有两种解释：：容量大公差造成了不均压容量大公差造成了不均压 ――――电容组被施加电压后电容组被施加电压后，原理上同一串联组内的各单体电容容量都相等，原理上同一串联组内的各单体电容容量都相等容量大公差造成了不均压容量大公差造成了不均压 ――――电容组被施加电压后电容组被施加电压后，，原理上同一串联组内的各单体电容容量都相等原理上同一串联组内的各单体电容容量都相等。而容值的不同就导致了各电容电压的不。而容值的不同就导致了各电容电压的不 .. 。。而容值的不同就导致了各电容电压的不而容值的不同就导致了各电容电压的不 .. 电介绝缘电阻公差造成了不均压电介绝缘电阻公差造成了不均压――――单体电容电压的分压等于按电阻分压方式得到的数值单体电容电压的分压等于按电阻分压方式得到的数值。。电介绝缘电阻公差造成了不均压电介绝缘电阻公差造成了不均压――――单体电容电压的分压等于按电阻分压方式得到的数值单体电容电压的分压等于按电阻分压方式得到的数值。。若只考虑容量公差若只考虑容量公差，则对于容量公差为，则对于容量公差为 ±20%±20%的电容来说的电容来说，以下应用就已经有过压的危险，以下应用就已经有过压的危险。。若只考虑容量公差若只考虑容量公差，，则对于容量公差为则对于容量公差为 ±±20%20%的电容来说的电容来说，，以下应用就已经有过压的危险以下应用就已经有过压的危险。。 Vbus=1200VVbus=1200V，，三个三个450V/3300uF450V/3300uF电容电容(容量公差(容量公差 ±20%)±20%)串联应用串联应用。。 VbusVbus=1200V=1200V，，三个三个450V/3300uF450V/3300uF电容电容((容量公差容量公差 ±±20%)20%)串联应用串联应用。。 1.2 OvervoltageOvervoltage V = 1200V * = 514V OvervoltageOvervoltage min imumcap 0.8 + 0.8 + 1.2 9 P1.C4 – Voltage Divided Resistor 工程经验显示工程经验显示，当选择的平衡电阻使得其支路电流大约为其要平衡的，当选择的平衡电阻使得其支路电流大约为其要平衡的电容工作漏电流电容工作漏电流的的 20 20 工程经验显示工程经验显示，，当选择的平衡电阻使得其支路电流大约为其要