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单层膜巨磁阻抗效应的研究现状与发展趋势 学生姓名：徐晓锦 指导教师：陈卫平 摘要：本文简要介绍了巨磁阻抗效应及其理论研究概况，阐述单层膜横向各向异性、驱动电流频率和外加直流磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并介绍其研究发展趋势。 关键词：巨磁阻抗效应；单层膜；趋肤效应 1.　课题背景、作用及意义 自从1992 年,由日本名古屋大学的Mohri 等人[1]在FeCoSiB 非晶丝中首次发现巨磁阻抗效应以来，巨磁阻抗效应材料受到材料科技工作者的高度重视。材料的阻抗随外加直流磁场的变化而变化的现象称为巨磁阻抗效应（Gaint magneto -impedance effect），简称GMI效应[1]。 该效应具有高灵敏度、低饱和场、响应快、无磁滞、稳定性好的优点, 在磁记录和磁传感器[1-4]等方面有着巨大的应用前景，成为现代磁电子学领域中的研究热点之一[2]。……………………………… ……………………………… 2. 研究现状 从理论上讲，薄膜的巨磁阻抗效应可以利用经典电动力学和铁磁学进行解释。GMI效应是一种经典电磁效应。在高频下，外加直流磁场通过改变材料的有效磁导率来改变高频电流的趋肤深度，从而间接改变材料的阻抗。……………………… ……………………………… ……………………………… 2.1 国内研究现状及发展趋势 ……………………………… ……………………………… 图1 (Fe88Zr7B5)1-xCux (X=0，3，4)1992年K.Mohri等人在FeCoSiB 非晶丝中发现巨磁阻抗效应至今仅十几年时间，所以目前对它的研究仅仅处于起步阶段。人们对GMI 效应的研究从Co基和Fe基非晶及纳米晶软磁合金细丝、薄带和薄膜，扩大到复合丝、三明治带和多层膜材料。随着现代信息技术的发展，促使电子领域中的器件向微型化，集成化方向发展。因为薄膜的制备与集成电路工艺具有兼容性，所以具有巨磁阻抗效应的软磁薄膜在集成电路和传感器等技术领域具有广阔的应用前景。而单层膜的研究更是因为在工艺和测试上存在巨大的困难而进展缓慢。这导致科学工作者对它的研究仍将继续深入下去。目前对于单层膜巨磁阻抗效应的物理本质仍不十分清楚，解决这一问题的关键在于建立能清晰和有效描述磁导率与外磁场之间关系的物理模型，而这一工作无疑具有很大的难度和挑战性。 ……………………… 参考文献 [1] R. S. Beach, A. E. Berkowitz. Sensitive field and frequency-dependent impedent spectra of amorphous FeCoSiB wire and ribbon [J]. J. Appl. Phys., 1994, (76), 6209-6211. [2] 陈卫平, 萧淑琴, 王文静, 刘宜华. 沉积态(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应[J]. 金属学报, 2004, (12), 1295-1296. ……………………………… 指导教师评语： 徐晓锦同学，在指定时间内，在两篇译文和查阅大量与巨磁阻抗效应相关的文献基础上，认真完成了文献综述的撰写。该综述对巨磁阻抗效应的研究的现状进行了总结，并指出对单层膜巨磁阻抗效应的物理本质仍不十分清楚还有待进一步深入研究。 成绩：优秀 教师签名： 说明：参考文献必须引入到文献综述中，特别是一些引用的重要观点，重要理论依据来源，必须标注出处，参考文献顺序以在论文中被引用的顺序排序。引入标注方法：单篇引入的标注方法[1]；多篇不连续排序的参考文献在同一个地方被引用的标注方法[1,3,5]；参考文献排序中连续几篇同时在一个地方被引用的标注方法[3-6]。如引用了表格或者图，应在文中相应处标注，切勿在表头和图下的名称处标注。 蚌埠学院毕业设计（论文）文献综述 5 楷体，3号 1.5倍行距， 段前0行，段后0.5行 楷体，4号 单倍行距 黑体加粗，5号 1.5倍行距 宋体，5号 1.5倍行距 段前0行，段后0行 宋体，5号 1.5倍行距 段前0行，段后0行 黑体加粗，5号 标题1： 大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行 正文：首行缩进2字符， 宋体，小4号，1.5倍行距， 段前0行，段后0行 标题2： 大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行 大纲级别2 黑体，小4号，1.5倍行距 段前0.5行，段后0.5行 宋体5号，1.5倍行距，段前0行，段后0行 标题3： 大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行 Times new roman，5号，1.5倍行距, 段前0行，段后0行 另起一页 题目： 大纲级别1，黑体，4号，1.5倍行距，段前1.5行，段后1.5行 宋体，5