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克尔缺陷一维耦合腔光波导的双稳态方向性
40 4 Vol.40 No. 4
2011 4 ACTA PHOT ON ICA SINICA April 2011
: 1004 4213( 2011) 04 0529 4
Kerr
a a b
李文慧 , 毕卫红, 王金生
( a. ;b. , 066004)
: 本文提出一种只在一层高折射率介质层中掺杂Kerr 介质的 一维耦合腔 波导. 利用一维
传输矩阵理论和非线性传输矩阵方法研究了此结构的 学双稳态. 根据 一维传输矩阵理论分析了
此结构的线性特性, 包括低频带边模的偏移及场分布的特点, 讨论了此结构实现双稳态的原理. 研
究发现: 由于缺陷层中场分布与入射 方向密切相关, 而缺陷层 场的局域, 将激发Kerr 介质的三
阶非线性效应, 从而改变了缺陷层的折射率, 所以不同方向的入射 具有不同的双稳态阈值. 利用
非线性传输矩阵方法研究了 学双稳态特性. 结果表明: 由于缺陷层的位置导致缺陷模正方向( 由
左到右) 入射的场分布大于反方向( 由右到左) 入射的场分布, 正方向的阈值低于反方向的阈值, 相
差一倍.
:耦合腔; 开关; 子晶体; Kerr 效应
: O734+ . 1 : A doi: 10. 3788/ gzx 0529
0 ,
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a b
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