SILICIDESALICIDE和POLYCIDE工艺的整理.doc

首先，这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅化物来降低POLY上的连接电阻。 但生成的工艺是不一样的，具体怎么用单独的中文区分，现在我也还没看到相应资料， 就暂且沿用英文的了。 其中，SILICIDE就是金属硅化物，是由金属和硅经过物理－化学 反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，而POLYCIDE和SALICIDE则是分别 指对着不同的形成SILICIDE的工艺流程，下面对这两个流程的区别简述如下： POLYCIDE： 其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI）， 然后在POLY上继续生长金属硅化物（silicide），其一般为 WSi2 （硅化钨）和 TiSi2 （硅 化钛）薄膜，然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其他工序，完成整个芯片制造。 SALICIDE: 它的生成比较复杂，先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在POLY上 淀积一层金属层（一般为 Ti,Co或Ni），然后进行第一次快速升温煺火处理（RTA），使多晶 硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。根据煺火温度设定，使得其他绝缘层（ Nitride 或 Oxide）上的淀积金属不能跟绝缘层反应产生不希望的硅化物，因此是一种自对 准的过程。然后再用一中选择性强的湿法刻蚀（NH4OH/H2O2/H20或H2SO4/H2O2的混合液）清除 不需要的金属淀积层，留下栅极及其他需要做硅化物的salicide。另外，还可以经过多次煺火 形成更低阻值的硅化物连接。跟POLYCIDE不同的是，SALICIDE可以同时形成有源区S/D接触的 硅化物，降低其接触孔的欧姆电阻，在深亚微米器件中，减少由于尺寸降低带来的相对接触 电阻的提升。另外，在制作高值POLY电阻的时候，必须专门有一层来避免在POLY上形成SALICIDE ，否则电阻值就上不了哈。。 对于金属硅化物以及目前又开始热门的金属栅极的制作，特性分析，工艺流程，有很多文献 可以参考，但作为LAYOUT设计者而言，不需要了解这么多，就是明白这个东西的作用是什么应该 就足够了。。 希望能给大家一点帮助。。。 Salicide / Polycide 使用条件？Salicide / Polycide 使用条件？半导体技术天地3N6U*H4f-o7z#b9N;v;T半导体,芯片,集成电路,设计, 版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测 试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless8c:r;U/c6@%e.t5`+YSalicide 可以减小栅极和源漏电阻Polycide 可以减小栅极电阻%g%k/Jh1m9Q什么时候选择哪一种呢？两者使用前提条件是什么呢？有什么使用限制呢？ 一、看你Care的是什么？Salicide自对准效果很好，且Rs也很小。但是Thermal Stable不好。而且会有C49和C54的相位转换，电阻差异很大哦。所以这个一般需要Wet Etch前后各一步Thermal来。如果一步到位对小线宽的Gate控制不好。因为反应过程中是Si扩散到界面与Ti反应。这样就会有一定量的横向反 应。 Polycide的Rs会比较大一些，但是Thermal下比较稳定。以上在0.35-0.6甚至0.8um都有在用。0.25及其以下用CoSi2，对线宽控制比较好，因为Co与Si反应的时候，是Co进入界面与Si反应，这样横向反应就比SiTi2的小，因为Poly 的边界决定了线宽不会延伸。nm时代就要用NiSix了，Thermal稳定性很差，但是因为它不能用前面的原因是他更Care工艺过程中的Thermal Burdget，所以不得不用它了 二、 1.SALICIDE产生BRIDGING现象 扩散速度较金属快的话，则容易跑到SPACER上，反应生成bridging。也就是硅化物的形成已经 在源漏和栅极上了，这样就会出现桥接，尤其在细线宽情况下。salicide如果使用TI/CO的话，这个情况比较严重。 POLYCIDE是不会有这种情况的。 2.?? 一般的掺杂物在SALICIDE中的扩散速度极快，所以在多晶中的掺杂物很容易进入salicide而流串到其他地方，多晶硅也因掺杂物流失会有空乏现场 产生。对于CMOS的应用，则会有P型和N型掺杂物的相互污染导致VT的变化，严重影响电路运行。有时需要在进行SALICIDE之前，往多晶里面掺入N 什么的。减小这种效应。3.?? 由于SALICIDE的源漏电阻比采用POLYCID