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第 34 卷 第 5 期 半 导 体 情 报 34, 5 V o l N o 1997 年 10 月 1997 SEM ICON DU CTO R IN FO RM A T ION O ct 高压 IGBT 制造技术的必威体育精装版动向 张昌利 ( 西安电力电子技术研究所, 西安, 7 1006 1) 陈治明 ( 西安理工大学, 西安, 7 10048) 摘要 阐述了当前 2 5~ 4 5kV 高压 IGB T 的必威体育精装版制造技术和典型器件结构, 认为高压 大电流 IGB T 器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。 关键词 电力电子技术 绝缘栅双极型晶体管 高压 Recen t Ten den cy of H igh Voltage IGBTs M an ufacture Zh an g Ch an g li ( ’ , ’ , 7 1006 1) X i an I ns titu te of P ow er E lectron ics X i an Ch en Zh im in g ( ’ , ’ , 7 10048) X i an U n iv ers ity S cience of T echnology X i an A bstract T h e m anu factu re an d dev ice st ru ctu re w ith 2 5~ 4 5kV h igh vo ltage IGB T s w ere rev iew ed in th is p ap er. It h a s con sidered th at th e developm en t o f p ow er IGB T w ou ld b r in g opp o r tun ity an d ch a llen ge to th e developm en t o f p ow er elect ron ics in th e . n ear fu tu re Keywords Pow er elect ron ics IGB T H igh vo ltage ( ) 1 引言 33kV 的高压 IGB T 模块 见图
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