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衬底温度对MOCVDZnO薄膜特性的影响_孙小虎
4 1 6 人 工 晶 体 学 报 第 卷 第 期 Vol． 4 1 No． 6 2012 12 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS December ，2012 年 月 衬底温度对MOCVD- ZnO 薄膜特性的影响 1 1 1 2 2 1 ， ， ， ， ， 孙小虎 雷青松 曾祥斌 薛俊明 鞠洪超 陈阳洋 (1． ， 430074 ;2 ． ， 053000) 华中科技大学电子科学与技术系 武汉 河北汉盛光电科技有限公司 衡水 : (MOCVD) ， ZnO ， 、 摘要 利用金属有机物化学气相沉积 生长技术 制备本征 薄膜 并研究薄膜的结构 形貌及光电等性 能。 : ZnO 、 、 。 180 ℃ 结果表明 衬底温度对 薄膜的微观结构 电学 光学及表面形貌等有显著影响 在衬底温度为 时获 2 ． 17 × 10 － 2 ·cm 。 85% 、 、 、 ZnO 得电阻率为 Ω 平均透过率为 的低电阻 高透过率 结晶质量高 表面呈绒面结构的本征 。 ZnO 。 薄膜 对本征 薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极 :MOCVD ; ZnO ; ; 关键词 绒面 薄膜 衬底温度 太阳电池 中图分类号:O484 文献标识码:A 文章编号:1000-985X (2012)06-1494-04 Influence of Substrate Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Grown by MOCVD Technique S UN Xiao-hu1 ，LEI Qing -song 1 ，ZENG Xiang -bin1 ，X UE Jun-ming2 ，J U Hong -chao2 ，CHEN Yang -yang 1 (1． Department of Electronic Science and Technology ，Huazhong University of Science and Technology ，Wuhan 430074 ，China ; 2 ． Hisun PV TECH ，Hengshui 053000 ，China)
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