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射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜.pdf
第# 卷! 第$ 期 天! 津! 大! 学! 学! 报 ()*+ #! ,)+ $ ! %’ 年$ 月 !#$%’ ( )*%+*% ,%*-.$/*01 -.*+ %’ ! 射频磁控溅射高饱和磁化强度2.34 薄膜! / /,% / / 姜恩永 ,陈逸飞 ,李志青 ,白海力 (/+ 天津大学现代材料物理研究所,天津$% ;% + 中国民用航空学院理学院,天津 ) 摘! 要:用射频磁控溅射法分别在具有% 01 23 衬底的45(/ )和,67* 单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁 化强度的238, 薄膜+ 用9 射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对238, 薄 膜相结构和磁性的影响+ 结果表明,当氮气分压为% + :: ; / % =6 ,基片温度为/ /’ ? 时,最有利于 @823 , ! /: % 相的形成+ 在此条件下制备的238, 薄膜的饱和磁化强度高达% + $’ A ,超过纯23 的饱和磁化强度值+ 关键词:238, 薄膜;饱和磁化强度;射频磁控溅射 中图分类号:BC#% + ’C! ! ! 文献标志码:D! ! ! 文章编号:CE8 %/$ (%’ )$8 ’$8 C 2.34 )5*% 2*’6/ 7*05 8*95 :0#$0*% ;9%.0*0*% =./*0.? @1 A$?* 2$.B#.%.1 ;9%.0$% :#00.$*%9 -FD,G H08I)0J/ ,7KH, L58M35/,% ,NF OP58Q50J/ ,RDF K658*5/ (/+ F0ST5T.T3 )M DUV60W3U X6T3Y56*S =PIS5WS ,A560Z50 [05V3YS5TI ,A560Z50 $% ,7P506 ; % + 4WP))* )M 4W530W3S ,75V5* DV56T5)0 [05V3YS5TI )M 7P506 ,A560Z50 ,7P506 ) C@/0$D0 :238, TP50 M5*1S \5TP P5JP S6T.Y6T5)0 16J03T5]6T5)0 \3Y3 U3^)S5T3U )0 45 (/ )60U ,67* S50J*3 WYIST6* S._STY6T3S \5TP % 01 TP5W‘ 23 .0U3Y*6I3YS _I Y6U5) MY3Q.303I(a2 )16J03TY)0 S^.TT3Y50J+ AP3 3MM3WTS )M 05TY)J30 ^6YT56* ^Y3SS.Y3 60U S._STY6T3 T31^3Y6T.Y3 )0 TP3 ^P6S3 STY.WT.Y3 60U 16J03T5W ^Y)^3YT53S )M TP3 M5*1S \3Y3 50V3ST5J6T3U _I 98Y6I U5MMY6WT5)0 ,TY60S15SS5)0 3*3WTY)0 15WY)SW)^3 60U 6 V5_Y6T50J S61^*3 16J03T)13T3Y+ AP3 Y3S.*TS SP)\ \P30 05TY)J30 ^6YT56* ^Y3SS.Y3 60U S._STY6T3
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