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目 录 1 CSI24WC0 1/02/04/08/16 ……………………………….2-10 2 CSI24WC32/64…………………………………………...11-18 3 CSI24WC128. ……………………………..…………….19-26 4 CSI24WC256. ………………………….….…………….27-34 n c . y s u c m w. w w 1 CAT24WC01/02/04/08/16 1K/2K/4K/8K/16K 位串行E2PROM 特性 与400KHz I2C 总线兼容 到 伏工作电压范围 1.8 6.0 低功耗CMOS 技术 写保护功能 当 为高电平时进入写保护状态 WP 页写缓冲器 自定时擦写周期 编程擦除周期 1,000,000 / 可保存数据 年 100 8 脚DIP SOIC 或TSSOP 封装 温度范围 商业级 工业级和汽车级 概述 n 2 CAT24WC01/02/04/08/16 是一个 1K/2K/4K/8K/16K 位串行 CMOS E PROM 内部含有 c . 个 位字节 公司的先进 技术实质上减少了器件的功耗 128/256/512/1024/2048 8 CATALYST CMOS y s 有一个 字节页写缓冲器 有一个 字节页写缓冲器 该器件通过 CAT24WC01 8 CAT24WC02/04/08/16 16 u I2C 总线接口进行操作 有一个专门的写保护功能c m 管脚配置 w. w w 管脚描述 管脚名称 功能 A0 A1 A2 器件地址选择 SDA

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