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微电子器件与电路第二章_载流子浓度,载流子浓度,本征载流子浓度,载流子浓度单位,硅的本征载流子浓度,载流子浓度计算,半导体载流子浓度,硅本征载流子浓度,石墨烯载流子浓度,平衡载流子浓度
微电子器件与电路
第二章
半导体物理基础
华侨大学信息学院 杨骁
平衡半导体\热平衡半导体
平衡状态或热平衡状态,是指没有外界影响
(如电压、电场、磁场或者温度梯度等)作用
于半导体上的状态。
在半导体中主要关注产生和复合过程的动态平衡
平衡态——不随时间变化(动态平衡的结果)
费米能级是描述热平衡状态的重要参数
平衡态是研究非平衡态的出发点
半导体中的载流子
半导体中的载流子:
能够导电的自由粒子
电子:带负电的导电载流子,是价电子脱离原子束
缚后形成的自由电子,对应于导带中占据的电子。
空穴:带正电的导电载流子,是价电子脱离原子束
缚后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位。
电子空穴对
当导体处于热力学温度0K时,导体中没有
自由电子。当温度升高或受到光的照射
时,价电子能量增高,有的价电子可以挣
脱原子核的束缚,而参与导电,成为 自由
电子。
这一现象称为本征激发,也称热激发。
自由电子产生的同时,在其原来的共价键
中就出现了一个空位,原子的电中性被破
坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负
电量相等,人们常称呈现正电性的这个空
位为空穴。
本征激发和复合的过程
可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时
成对出现的,称为电子空穴对。游离的部分自由电
子也可能回到空穴中去,称为复合,如图所示。
本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。
半导体中载流子运动
参与导电的电子和空穴统称为半导体的载流子。
对于本征半导体产生载流子主要通过本征激发,
电子从价带跃迁到导带,形成导带电子和价带空
穴,电子和空穴同时参与导电。
在导电电子和空穴产生的同时,还存在与之相反
的过程,这一与载流子产生过程相反的过程称为
载流子的复合。
一定温度下,载流子产生和复合的过程建立起动
态平衡,即单位时间内产生的电子-空穴对数等于
复合掉的电子-空穴对数,称为热平衡状态。半导
体的导电性与温度密切相关,这主要是由于半导
体中的载流子浓度随温度剧烈变化所造成的。
费米能级
费米能级
费米能级
在一定的温度热平衡状态下,电子按能级大小
具有一定的统计分布规律,即电子在不同的能
量的量子态上统计分布几率是一定的。
晶体中的电子遵循费米-狄拉克统计分布规
律。费米-狄拉克统计分布函数为:
态密度概念
能带(导带和价带)是由大量密集的
分立能级所组成的。单位体积的晶体
材料中,单位能量间隔区间内的量子
态数量称为态密度。
费米能级
晶体中的电子遵循费米-狄拉克统计分布规
律。费米-狄拉克统计分布函数为:
式中,N(E)为单位体积的晶体材料中,单位能量间
隔区间内存在的微观粒子数量,g (E) 为单位体积的
晶体材料中,单位能量间隔区间内所具有的量子态
数量。f F(E)就称作费米-狄拉克统计分布函数,它反
映的是能量为E 的一个量子态被一个电子占据的几
率。而EF则称为费米能级(Fermi energy)。
10
费米-狄拉克分布函数
T=0K时的费米-狄拉克统计分布函数:
当EEF 时,f F(E)=1;当EEF 时,f F(E)=0
注意:费米能级EF则仅仅反映电子
在不同能态上的填充水平,并不一
定对应于某个具体的能级。
T=0K时费米-狄拉克统计分布函数与能量的关系
11
费米-狄拉克分布函数
T=0K时一个特定系统的分离能级和量
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