硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征.pdfVIP

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2015-09-16 发布于湖北
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硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征.pdf

笺怒翳铲 J。。浙rnal。f江Zhejia大ngun学ive商t学y(Eng报ine‘er工ing学S版cie：。。) ‰i22器s 硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征吴玲玲，吴仁兵，杨光义，陈建军，翟蕊，林晶，潘颐 (浙江大学材料科学与工程学系，浙江杭州310027) 摘要：采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线．反应产物首先经x射线衍射(XRD)确米线部分呈直线六棱柱形状，大多为3C-SiC单晶，其[111]方向与纳米线长度方向一致，间或有折线，弯曲和螺旋形．在这些结果的基础上，提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制：硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L)，与碳纳米管反应(S)，生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长．关键词：简单加热法；SiC纳米线；气一固一液机制中图分类号：TN304．05 文献标识码：A 文章编号：1008—973X(2008)03—0485一04 andcharacterizationofSiCnanowires Synthesis silicon using evaporation WU un， Ling—ling，WURen—bing，YANGGua-ng—yi，CHENJian-j ZHAIRui，LIN Yi Jing，PAN MaterialScienceand 310027，China) (Departmentof Engineering，ZhejiangUniversity，Hangzhou viathe silicon andcarbonnanotubesa Abstract：SiCnanowireswere reactionbetween synthesized vapor by and wasidentifiedas3C—SiC method．The simpleheatingevaporation product byX—ray andthe andmicrostructureofthenanowireswerecharacterizedfield_‘emissione—- morphology by scanning lectron resolutiontransmissionelectron microscopy(FESEM)andhigh grea— ter ofthenanowiresare3C—SiC with cross part singlecrystallineprismshexagonal directioniSthe directionofthenanowireswhilea fewofthemare helical．The 1ength folded，curved，or nucleationand ofthe3C—SiCnanowiresfollowsthe