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第6章-导体xg,第三代半导体,第三代半导体材料,第二类超导体,半导体物理学第7版,第二代半导体材料,半导体物理学第七版,第一代半导体材料,第二代半导体,半导体物理第七版答案
三、 有介质时的高斯定理 1、电位移矢量 2、有介质时的高斯定理 为高斯面内自由电荷的代数和 为通过闭合面S的电位移矢量通量 §6-3 电场中的电介质及其极化 有介质时的高斯定理 设两极板带等量异号电荷+Q, -Q +Q -Q 例: 求球型电容器的电容. §6-3 电场中的电介质及其极化 有介质时的高斯定理 解: 例:一半径为a的导体球,被围在内半径为b、外半径为c,相对介电系数为 的介质同心球壳内,若导体球带电量为Q,求D(r),E(r)和导体表面电势。 a b c Q 解: a b c Q 一 电容器的电能 + + + + + + + + + - - - - - - - - - + §6-4 电场的能量 看电容器充电过程中电场力的功 §6-4 电场的能量 二 静电场的能量 能量密度 电场空间所存储的能量 电场能量密度 §6-4 电场的能量 例 一均匀带电Q的球体,半径为R,试求其电场储有的能量。 R Q 解: §6-4 电场的能量 R Q §6-4 电场的能量 例1 如图所示,球形电容器的内、外半径分别为R1和R2 ,所带电荷为?Q.若在两球壳间充以电容率为? 的电介质,问此电容器贮存的电场能量为多少? Q -Q §6-4 电场的能量 解 Q -Q §6-4 电场的能量 (球形电容器) 讨 论 (1) (2) (孤立导体球) §6-4 电场的能量 例2 圆柱形空气电容器中,空气的击穿场强是Eb=3?106V·m-1 ,设导体圆筒的外半径R2= 10-2m . 在空气不被击穿的情况下,长圆柱导体的半径R1 取多大值可使电容器存储能量最多? + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ ++++ --- - §6-4 电场的能量 解 + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ ++++ --- - §6-4 电场的能量 单位长度的电场能量 + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ ++++ --- - §6-4 电场的能量 + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ ++++ --- - Eb=3?106V·m-1 ,R2= 10-2m §6-4 电场的能量 1、一半径为a的导体球,被围在内半径为b、外半径为c,相对介电系数为 的介质同心球壳内,若导体球带电量为Q,求D(r),E(r)和导体表面电势。 练 习 a b c Q 解: a b c Q 2 一均匀带电Q的球体,半径为R,试求其电场储有的能量。 R Q 解: R Q 物理学 第五版 第6章 静电场中的导体和电介质 * 1、掌握导体静电平衡的条件. 2、掌握电容器电容的计算方法. 3、掌握电位移矢量和电场强度之间的关系. 4、掌握介质中的高斯定理. 5、掌握电场能量的计算方法. 本章基本要求 第六章 静电场中的导体和电介质 §6-1 静电场中的导体 一、导体与电介质的区别 1、 结构不同 导体中有大量自由电荷,介质中为束缚电荷 2、 电阻率不同 导体: 电介质: 3、放入电场后,有不同反应. 二、导体的静电感应 静电平衡 1、 静电感应现象 a) 现象:导体在电场中其自由电荷重新分布的 现象. b) 感应电荷产生 ,平衡时 和 平衡。 c) 静电平衡特征: 导体内和表面电子没有宏观 移动 + + + 一 一 一 §6-1 静电场中的导体 2、 静电平衡条件 (a) 导体内部场强处处为零. (b) 导体是一个等势体.表面是等势面. 证明:在体内任取两点P、Q P Q P、Q 可位于导体表面, 故导体表面是等势面 (c) 导体表面的场强与表面垂直. 电力线垂直于等势面 §6-1 静电场中的导体 三、静电平衡下导体上电荷的分布 S 故电荷分布在体表. 体内作高斯面S,运用高斯定理 证明: 1、实心导体情况 电荷只分布在表面,导体内部没有净电荷. §6-1 静电场中的导体 2、空腔导体情况 (a) 空腔中无其他带电体,则电荷分布在外表面. 电势在腔内和导体内是一样的. 反证法,设腔内表面有等量异号电荷如图 + P - Q 故上述情况不可能发生. 证明: §6-1 静电场中的导体 +q Q+q -q Q §6-1 静电场中的导体
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