PITO膜成膜过程中O2分压对ITO膜质的影响.pdfVIP

赵 杨等 ：P—ITO膜成膜过程中0。分压对 ITO膜质 的影响 文章编号：1006—6268(2012)04—0042—03 P—ITO膜成膜过程中O2分压对 ITO 膜质的影响 赵 杨 ，吴东起 (韩)。高雪松 (北京京东方显示技术有限公司。北京 100176) 摘 要：文章研究了在实际生产过程中，真空磁控溅射设备下制备ITO膜时，高温成膜过程 中环境中 的氧气分压对ITO薄膜的光电特性的影响。P—ITO指的是结晶状态的ITO膜，在高温环境下ITO膜 成膜工艺，也就是常说的高温成膜工艺，在成膜过程 中结晶，通过调整成膜过程中o：的分压制备所需 的ITO膜 。 关键词 ：直流磁控溅射 ；基板温度 ；氧气分压；方块 电阻；透过率 中图分类号 ：TN949．199 文献标识码 ：B The ImpactofPartialO2PressureinITO DepositionProcess ZHAO Yang，W U Dong-qi。GAO Xue-song (BeijingBOEDisplayTechnologyCo．，Ltd．，Beijing100176，China) Abstract：Inthispaper．theopticalandelectricalpropertiesofITO thin mspreparedbyDC magnetronsputteringonvariousconditions，variouspartial02pressure，areinvestigatedinreal production．P-ITOmeansITOincwstallinestate．ITOdepositionprocessinhightemperatureis ussallycalledhightemperaturedepositionprocess，inwhichITOcrystallizes．Byadjusting partial02pressure，expectedITOfjImscanbemade． Keywords：DCmagnetronsputteringdeposition；substratetemperature；O2pressure；square resistance；transm ittance 引 言 作用 ，广泛应用于平板显示器件 中。 近年来 ，大尺寸平板显示器发展迅速 ，在高透过 ITO(indium tinoxide)是一种重参杂 的 n型 率，低 电阻率和大面积均匀性等光电性能上对 lTO薄 半导体材料 ，它具有较宽的带隙 (3．5—4．3eV)， 膜提出了更高的要求。而且由于彩色滤光片中使用的 较 高 的载流子密度 (10’cm≈)。ITO 薄膜具有优 良 有机材料不耐高温，所以对于某些类型的液晶面板，能 的导 电性 ，高的可见光透过率 ，以及高的机械强 够低温沉积显得尤为重要。一般而言，导电性提高，透 度和化学稳定性。作为透 明导 电薄膜 ，可以作为 光度便下降，反之亦然。可见光具有 8O％以上的透光 功能性 的电极 ，也可 以作为非功能性 的屏蔽 电场 率，其 比电阻低于 1X10 Q／cm，是良好透明导 电膜。 42 现代显示 AdvancedDisplay Apr．2012，总第 135期 收稿 日期 ：2O12—03—02 赵 杨等：P一[TO膜成膜过程中O：分压对 ITO膜质的影响 1 ITO薄膜的导 电及结晶机理 内会迅速上升 到 230℃ ，所 以能够保证成膜过程