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第 55 卷 第 12 期 2006 年 12 月 物  理  学  报 Vol . 55 ,No . 12 ,December ,2006 10003290200655 ( 12) 657406 ACTA PHYSICA SINICA 2006 Chin . Phys. Soc . CuI 晶体缺陷态电子结构及其施主受主对 发光机理的研究 1) 1) 1) 2) 3) 4) 刘海兰  顾  牡  张  睿  徐荣昆  黎光武  欧阳晓平 1) ( 同济大学波耳固体物理研究所 ,上海  200092) 2) ( 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 ,绵阳 621900) 3) ( 中国原子能科学研究院 ,北京  102413) 4) ( 西北核技术研究所 ,西安  710024) (2005 年 11 月 11 日收到 ;2006 年 8 月 12 日收到修改稿)   运用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有 γ相 CuI 晶体的本征缺陷态电子结构. 结果 ( ) 表明 ,四面体间隙 Cu 和 Cu 空位最有可能在禁带中引入浅施主和受主能级 ,从而形成施主受主对 DAP ,产生 420 —430 nm的DAP 复合发光. 关键词 : γ CuI 晶体 , 密度泛函理论 , 电子结构 , 发光机理 PACC : 7120F , 7855 [7 ,8 ] ( ) [9 ] 对论密度泛函理论 和自洽离散变分法 DVM , 1 引 言 计算 CuI 晶体有关缺陷态的电子结构 ,试图通过模 拟计算找到与 DAP 相关的缺陷态能级 ,研究 CuI 晶 长期以来 ,人们一直都在努力寻找应用于高能 体的缺陷与其发光机理之间的关系. 目的是对 CuI 物理和核物理等领域的新型超快闪烁材料 ,并取得 晶体的发光机理有一个比较深入的了解 ,进而为改 ( 善和优化 CuI 晶体的发光性能提供参考. 了不少重要进展 ,其中具有近带边发射 有可能发生 ) 快速的电子空穴复合 的宽禁带半导体 ,近年来已 成为人们关注的热点之一. 2

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