磷吸杂工艺研究.pdfVIP

第 卷 第 期 9 5 Vol.9No.5 年 月 名企产品推介 May.2007 2007 5 磷吸杂工艺研究 唐穗生 汕头华汕电子器件有限公司,广东 汕头 ( 515041) 摘 要:磷吸杂在晶体管芯片制造过程中对改善芯片表面态、减少漏电流等起着重要作用。 文中确定了方块电阻为 (欧姆 方块)的磷吸杂工艺条件,并对过程的相关影响因素 6-8Ω/□ / 进行分析和探讨,同时提出了解决方法。 关键词:磷吸杂;晶体管;芯片制造;工艺 , 流量为 , 流量为 , 引言 5l/min O 0.5l/min POCl 0.3l/min 0 2 3 源温 。那么,改变 、 的时间,所测试片上 5℃ t t 1 2 在晶体管芯片的制造过程中,由于原材料本 不同位置的方块电阻 结果如表 所列。 (R) 1 身及工艺操作等方面的影响,硅片表面往往存在 的少量碱金属离子 + + 、 将危害器件的性能。 (Na K) 为提高器件的稳定性和可靠性,常使用磷吸杂工 图 工艺过程示意图 1 艺将表面生长有二氧化硅薄膜的硅片,并用带三 表 试片上不同位置的方块电阻 1 氯氧磷和含少量氧的氮气对其表面进行适当处 t1 t R (Ω/□) R平均值 2 理,以形成一磷硅玻璃层,从而利用磷硅玻璃的 (min)(min) 上 中 下 左 右 (Ω/□) 吸附和固定钠、钾离子的作用把这些有害离子去 15 3.26 3.32 3.30 3.28 3.27 3.29 掉[1] 。通常可在一定温度条件下,让硅片置于磷气 12 10 3.50 3.57 3.55 3.53 3.52 3.53 氛中一段时间来达到上述目的。但在实际中,由 7 3.59 3.67 3.65 3.62 3.61 3.63 于使用温度高,监测设备误差