磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能.pdfVIP

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2015-09-09 发布于重庆
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磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能.pdf

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Vo l. 30 高等学校化学学报 No. 5 2009 年 5 月　　　　　CHEM ICAL JOURNAL OF CH IN ESE UN IV ER SITIES　　　　　　 97 1～975 　磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能 1 2 3 4 5 2 张梁堂 , 宋　杰 , 蔡敏真 , 徐富春 , 吴孙桃 , 董全峰 ( 1. 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系 , 2. 化学化工学院化学系 , 3. 物理与机电工程学院物理系 , 4. 化学化工学院分析测试中心 , 5. 萨本栋微机电研究中心 , 厦门 361005) ( ) 摘要　采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂 Cu 的氧化钒薄膜. X 射线衍射 XRD ( ) 分析和扫描电子显微镜 SEM 观察表明 , 无掺杂的薄膜为多晶 V O , 掺杂 Cu 的薄膜为非晶态. X射线光电 2 5 ( ) 子能谱 XPS 分析结果表明 , 掺杂 Cu 的薄膜为铜钒氧化物膜 , 其中 Cu 离子表现为 + 2 价 , V 离子为 + 4 与 + 5价的混合价态. 随着 Cu掺杂量的增大 , + 4 价 V 的含量增加. 电化学测试结果表明 , V O 薄膜在掺杂 2 5 - 2 μ Cu 以后其放电容量有显著的提高 , 其中 Cu21VO44薄膜在 100 次循环后容量还保持为 834 A ·h ·cm · - 1 μ m , 表现出较高的放电容量和较好的循环性能. 关键词　铜钒氧化物薄膜 ; 磁控溅射 ; 阴极材料 ; 电化学性能中图分类号　O