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H2O2催化多孔硅的光致发光研究.pdf

SEMIc0NDUCToR N0.6 omELECTRoNICSVoI.24 D恍.2003 H:o:催化多孔硅的光致发光研究 杜远东1,钱 萍h2,晁明举1’3 (1.周口师范学院物理与电子科学系。河南周口466000; 2.北京科技大学。北京100083;3.郑州大学物理工程学院.河南郑州450052 摘要: 采用H。O。催化的电化学法制备多孔硅,用原子力显微镜观察了样品的彤貌,并测 量了在不同电流密度下静J得的多孔硅和在不同氧化时间高温氧化的多孔硅的光致发光谱。实验结 果表明,采用H。O。催化的电化学法制备的多孔硅与常规电化学法制备的多孔硅相比,其表面更平 整、细密、均匀。随着电流密度和氧化时间的增加,多孔硅的发光谱峰住蓝移。此实验结果符合量 子限制模型。 关键词:多孔硅;光致发光;H。0。 ofPorol】s H202 Inv船tigati蚴蛐PhotoIumin鼯c胁ceSilic蛳byCatalysis Du Pin一”,cHAo Yuan—don91,QIAN Min91u1’3 of Physi髑朋d (1.Deparnllent 0fscience蚰d 2.BeUlⅡguniversityT七chnmo盯,BeUIngl00响3,cHN; 3.sch∞lof science柚d 450052,cHN) ph倒cnl EngIne刚哩,zhe嘟h肿UⅡIve舟时tzh蜘铲hou Poroussilicon(PS)wasfabricatedelectrochemicar Abstract: using techniquebyH202 The ofthePSis observedwithatomicforce Andthe cataIysis. morphoiogy microscopy. thePS atvariouselectricalcurtentoratdifferentoxidation photoluminescence(PL)ofprepared timeis resuhsindicatethatthestructureofthePS investigated.The producedbyH202catalysis isbetterandmoreuTliformth8nthat。fthePS traditional 1tis producedusing electrochemistry. alsoobservedthattheDhotoluminescencewillbeblueshiftedwhenthecurrentdensitvand oxidationtimeincrease.The resultis in withthe experiment goodagreement quantum

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