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GaN基发光二极管研究与进展.pdf
第23卷第2期 光 电 子 技 术 Vol 23NO．2 2003年6月 OPTOEl，ECTRONICTECHNOL()GY Jun．2003 矿pVpp91 乞塑．窆蓑墓0 GaN基发光二极管研究与进展 徐进，何乐年 (浙江大学信息与电子工程学系，杭州．310027) 摘要：宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体GaN是最近研究比较活跃的半导体材料系，其高亮度 发光二极管一出现即引起广泛的关注，并以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体二 极管的研制和发展概况，应用和市场前景，咀及近期研究热点作了介绍。 关键词：宽禁带半导体；氮化镓；发光二极管 中图分类号：0472+．8文献标识码：A 013904 文章编号：1005—488X(2003)02 P inGaN—basedSemiconductorLED ResearchandRecent rogress XU I。e—n[an jin．HE and Information 0027，China) (Dept．of Electronits，Zh咖angUniversity，Hangzhou，31 arethemostactivesere[con wide semiconductors Abstract：ThebandgapⅢ一nitride—based astile GaN—basedI．EDs are duclorma!erial soon appear，they systemsrecently．As highlight SOattractiveandcommercializedata this researchand surprisingspeed．Inpaper，the progress of semiconductorI．EDsare withthemarket ofthese theGaNbased outlined，along foreground kindsofI．EDandtherecentresearchhot spols． Keywords：wideband—gapsemiconductor；GaN；LED 金的带隙从1．9eV到6．2eV很宽的范围内变化， 引 言 具有优异的特性，如高热导、优良的光学、电学性质 和良好的材料机械性质和高电子饱和速度等。因为 在半导体产业的发展中，Ge、Si一般被称为第 直接带隙材料的光跃迁几率比问接带隙的高约一
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