GaAs1-xNx混晶的喇曼散射研究.pdfVIP

第! 卷# 第 期 厦门大学学报（自然科学版） $%’ !# (%’ # )**! 年+ 月 ,%-./0 %1 23045/ 6/375.839: （(09-.0 ;35/5 ） =0: )**!# 文章编号：*!?*!@A（)**! ）*?*)B?*+ C0D8E F ! (! 混晶的喇曼散射研究 E，) E E E ) 林顺勇 ，高玉琳 ，吕毅军 ，郑健生 ，刘国坤 （E’ 厦门大学物理学系，) ’ 厦门大学化学系喇曼实验室，福建 厦门BE**+ ） 摘要： 室温下采用背散射几何配置，在近共振条件下测量C0D8 ( 混晶的喇曼散射谱’ 由于( 原子的引入，导致类 E F ! ! C0D8 的GH 、IH 声子和类C0( 的GH 声子线宽变大，禁戒的IH 声子变为喇曼活性；随着( 组分的增加，IH 声子 E E ) E E 强度增大、GH 声子有红移的趋势、GH 声子有蓝移的趋势，根据它们随( 组分 移动的速度推断出样品不存在应变 ! E ) 效应’ 另外还讨论了布里渊区边界声子GD（ ）与GH（ ）、二级喇曼散射谱声子GH 、GH J GD （ ）以及)GH 随( 组 ) E E E 分 增大的变化趋势’ ! 关键词：喇曼散射；无序效应；应变效应； ?$?( 半导体 ! 中图分类号： 文献标识码： H !@) ’ D# # # # # # # # # # # # # # # # # C0D8 ( 是重要的 ?$?( 三元混晶，对工作 固体介质的光散射起因于固体介质某种不均匀 E F ! ! ! 在从远红外到紫外波长范围的光电子器件有广泛的 性，或者说起因于固体某种性质的起伏’ 喇曼散射通 应用而倍受人们的关注［E K ］’ 尽管C0( 的带隙能量 过测量晶格的振动来获取晶体结构的内部信息，它 比C0D8 高出约) 5$ ，它的一个反常特性是掺入杂 是研究半导体晶体结构内部信息的一个有效的工 质 ［! ］ ［E* ］ ( 引起带隙的减小 ’ 例如，在C0D8 掺入EL 的 具 ’ 另外，半导体由于掺杂而破坏了长程有序，这 ( 杂质，C0D8( 带隙能量将降低大约* ’ E 5$［+ ］’ 过 ［) ］ 也可