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CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究.pdf
第40卷第5期 人 工 晶 体 学 报 Vel．40No．5
201
1年lO月 JOURNAL0FSYNTHETIcCRYSTALS 1
October，201
CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究
刘 勇，朱世富，赵北君，陈宝军，何知宇，丁 群
(L,q)fl大学材料科学系，成都610064)
摘要：报道了CdZnTe晶片表面钝化后，热处理工艺对其性能的影响。先采用30％的H：0：钝化抛光好的CdZnTe
晶片，然后在恒温干燥箱中进行热处理；最后使用ZC36微电流测试仪、EDX能谱仪和扫描电镜(SEM)研究热处理
对钝化后的CdZnTe晶片表面的电学性能、表面成分以及表面形貌的影响。分析表明：CdZnTe钝化后在大气氛围
120℃下热处理40
min，表面H：Te0，、H。Te0。等分解较为完全，晶片表面氧化层分布均匀，表面漏电流显著减小，
晶体电阻率提高1～2个数苗级，对提高探测器的性能有重要作用。
关键词：碲锌镉；钝化；热处理；漏电流；电阻率；成分分析
中图分类号：078 文献标识码：A
afterSurfacePassivationofCdZnTe
Annealing Wafers
LIU
yo昭，ZHUShi-fu，ZHAO
Bei-jun，CHENBao-jun，HEZhi-yu，DINGQun
ofMaterials
(DepartmentScience，SichuanUniversity，Chengdu610064，China)
1 201 30 201
(ReceivedAugust August1)
1，accepted
influenceof aftersurface onthe of
Abstract：The annealing passivation CdZnTe(CZT)was
properties
CZTwaferswere the solutionof
first，the 30％
presented．Atpolished passivatedby hydrogenperoxide
concentration．Thenthewaferswere
annealedinaconstant influeneeof
temperaturefurnace．Finally．the
onelectrical and of
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