基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器.pdfVIP

第47卷第4期 原 子 能 科 学 技术 V01．47，No．4 Atomic Scienceand Apr．2013 2013年4月 Energy Techn0109y 基于4H—SiC肖特基二极管的中子探测器 蒋 勇1’2，吴 健2，韦建军1’+，范晓强2，陈雨2，荣 茹2， 邹德慧2，李 勐2，柏 松3，陈 刚3，李 理3 (1．四川大学原子与分子物理研究所，四川成都610065； 2．中国工程物理研究院核物理与化学研究所，四川绵阳 6219005 6) 3．南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室，江苏南京21001 摘要：针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求，采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导 体材料，利用sLi(n，d)3H核反应原理，研制了基于4H—SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射 nA以 V反向偏压下，漏电流维持在6．4 完成中子转化层的制作，并用SEM表征6I。iF膜厚。在lo～6。0 MeV的a 下，表明探测器具备良好的半导体金属肖特基整流接触。利用241Am源研究探测器对5．486 粒子的响应，测得分辨率为4．5％。同时，利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热 中子，观测到热中子与6Li作用产生的a和T粒子信号的实验结果。 关键词：中子探测器；宽禁带半导体；4H—siC 中图分类号：TL816 文献标志码：A 文章编号：1000一693l(2013)04一0664一05 k．2013．47．04．0664 doi：10．7538／yz Basedon4H—SiC Diode NeutronDetector Schottky Yu2，RONGRu2， Jian2，WEIJian—junl一，FANXiao—qian92，CHEN JIANGYon91一，WU Li3 ZOUDe—hui2，LI Gan矿，LI Men92，BAIson93，cHEN (1．，竹s￡i抛fP MoZPf“￡nr o厂A￡omif口行d P^ysif5，Sif^“口”U竹i训Prsi￡y，C^P九gd“610065，C^i行n； 2．f超s￡矗“￡Po厂N“fZPnrP^ysics以恕dCAP7舱i5fr，，C^i超口Ac口dPmyo，E挖gi”已Pri咒gP丘ysics， Circ“i￡sn”dModMz已s， 621900，C^inn；3．Nn￡io卵Ⅱ￡KP