ZnO基p-n结的制备及电注入发光的研究.pdfVIP

第十五届全固化合物半导体、微波器件和光电器件掌术会议 广州’08 ZnO基p-n结的制备及其电注入发光研究(邀请报告) 杜国同1,2，孙景昌，赵涧泽，梁红伟，边继明，付艳萍，马艳 (1大连理工大学物理与光电工程学院大连116023) 李香萍，夏小川，赵旺，张源涛，董鑫，张宝林 (2吉林大学集成光电子国家重点实验窀 电子科学与工程学院 长春 130012) 的电注入发光特性进行了研究。 关键词：ZnO，p-n结．电致发光 r}1图分类号：0472+．8 文献标识码：A 文章编号： ofZnObased and ofits Preparation P——njunctioninvestigation electr01uminescence Du Sun，Jianze Fu， Guotong1一，Jingchang Zhao，HongweiLiang，JimingBian，Yanping YanMa (‘School and ofPhysicsOptoelectronicTechnology,DalianUniversityofTechnology,Dalian，116024，China) Li，XiaochuanXia， Zhao，Yuantao Baolin Xiangping Wang Zhang，XinDong， Zhang (2 University, Changchun，130023。China) Abstract：Several the methodsofZnObasedfilm and of ZnO—based wereintroduced．The p-typedopingpreparation pnjunction electroluminescenceWasrealizedfromtheZnObased devices．TheelectroluminescencebehaviorsWasalso p-njunction investigated Keywords：ZnO，P—njunction，electroluminescence EEACC：0520F，2520D，2530B 2实验 1引言 a)n-ZnO／p--GaN异质结制备及其电注入发光 ZnO基p-n结的制备及其电注入发光特 GaN材料与ZnO材料的晶格常数十分接 性研究是研制Zn0基发光二极管的基础，是 近，且P型GaN外延片也已商业化。我们利 目前ZnO材料与器件领域研究的热点。我们 用自行设计加工的Zn0生长专用MOCVD系统 结发光二极管，在室温下获得了来自于ZnO 制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基 础上，采用几种掺杂方法制备出P型Zn0和层和GaN层的电注入发光，如图1所示。这 ZnM90薄膜，进而制备出了ZnO和ZnM90的种结构的发光效率较高，利用Zn0激子发光 异质、同质p-n结，并在室温下实现了其电 优势，也町能成为获得高效蓝、紫光发光二 注入发光。下面介绍几个比较有特色的实验 极管的一种新途径。 结果，然后进行讨论。