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超高真空化学气相淀积法生长的nSiip~+iSiGenSi结构的透射电镜和二次离子质谱分析.pdf
第 19 卷第 5 期 半 导 体 学 报 . 19, . 5 V o l N o 1998 年 5 月 , 1998 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 超高真空化学气相淀积法生长的 - - + - - 结构的 n Si i p i SiGe n Si 透射电镜和二次离子质谱分析 张进书 金晓军 钱佩信 (清华大学微电子学研究所 北京 100084) 罗台秦 (香港科技大学电机与电子工程系 香港) 摘要 本文用透射电镜(XT EM ) 和二次离子质谱(S IM S) 分析了由超高真空化学气相淀积法 ( ) 生长的 + 结构, 发现在硅上外延生长 + 时, 在靠近 U HV CVD n Si i p i SiGe n Si i p i SiGe Si 的 + 界面处存在一个很薄的层, 但在 + 上外延生长 时, 无此现象产生. 此 i p SiGe i p i SiGe Si 薄层是由在硅上外延生长 + 时硼原子聚集在靠近 的 + 界面处形成的高 i p i SiGe Si i p SiGe 掺杂薄层. 高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管(HBT ) 的BC 结的正向导通 电压. : 2520 , 2530, 2550 , 0590 EEACC M B 1 前言 自U HV CVD 生长的 SiGe HBT 器件问世以来, U HV CVD 已逐步发展成为一种具有 [ 1, 2 ] 广阔发展前途的外延生长方法 . SiGe HBT 以其独特的优点, 如高发射效率, 低基区电 [ 3, 4 ] 阻, 以及优良的高频性能等, 受到人们的极大关注 . A . Schuppen 等人报道了最高振荡 频率为 160 的 [ 5 ] , . . 等人报道了 波段输出功率 200 的 GH z SiGe HBT K D Hobart S W SiGe [ 6 ] HBT . 而器件的这些高性能是与 SiGe 材料密切相关. 本文用 XT EM 和 S IM S 对由
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