InPInGaAsSHBT器件自对准结构设计和工艺实现.pdfVIP

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2015-08-24 发布于重庆
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InPInGaAsSHBT器件自对准结构设计和工艺实现.pdf

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第卷增刊半导体学报 *’ aD2*’ % D9196C ! ! ! ! ! GG 年月 $ *++. ’ #8Q!%!M_e]Q$?_^%!=#_QNe#[_]% M69*++. ( 器件自对准结构 1D$ 1DQR%L65,0 设计和工艺实现# 李献杰蔡道民赵永林王全树周州曾庆明 ! ! ! ! ! ! # $ % 中国电子科技集团公司第研究所石家庄 ,0 +.++., ! ’ $ 摘要从湿法腐蚀各向异性特性实验出发利用传统的基极发射极自对准工艺和改进的基极发射极工艺制 6 J J 作了两种 . $ $ 6 6X5$H%8\[ 自对准结构比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果为制作高频率特性 . 提供了工艺途径 6 6X5$H%8\[ 2 关键词’ ( ( 自对准工艺(湿法腐蚀 6 %8\[ ) ( $% )*-+! )0(+? 中图分类号’ 文献标识码’$ 文章编号’ $ [Q0* +*.0J(,))*++.%+J+,0’J+( ! ! ! ! ! ! *+ ( 来 ) ! 引言 , M= ! # % # % T 5 X 5 X ? X? 5 X* X* * c9 cE 9K E cE c EI * . C E