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薄膜材料技术与物理6.pdf
晶圆制造流程图 薄膜技术 第六章 半导体器件集成工艺 IC 生产厂房 金属化 化学机 介质薄 测试 械抛光 膜沉积 晶圆 热氧化 离子注入 刻蚀与 封裝 与光刻胶 光刻胶 掩模 剥离 剥离 图形曝 最后测试 光 电路设计 半导体器件按照结构可以分为: 相对于通过打线连接的分立器件,集成器件具有如下优点: 分立器件: 1.降低互联的寄生效应,因为具有多层金属连线的集成电路 主要应用在微波,光电和功率器件方面。如碰撞电离雪崩渡越时 可大幅度降低全部的连线长度。 间二极管(IMPATT)用作微波 产生器,半导体激光器和发光二极 管作为光源,可控硅器件作为高功率的开关。 2.可以充分利用半导体晶片的空间和面积,因为器件可以紧 密布局在IC芯片内。 集成器件: 大部分的电子系统是将有源器件(如晶体管)和无源器件(如电 3.大幅度降低制造成本,因为打线连接是项既耗时又容易出 阻,电容和电感)一起构建在单晶半导体上,通过金属化的形式互连 错的工作。 而构成集成电路。 分立器件典型:pn结的简化制备工艺 IC制造中关键工艺: n-type 1.N型Si 衬底 n 5. 显影 SiO • 材料生长:涉
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