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基片位置对微波等离子体合成金刚石的影响.pdf
真空与低温 第 卷第 期 14 3 VacuumCryogenics 年 月 140 2008 9 基片位置对微波等离子体合成金刚石的影响 满卫东,孙 蕾,谢 鹏,汪建华 (武汉工程大学 等离子体化学与新材料省级重点实验室,湖北 武汉 ) 430073 摘 要:用自制的微波功率为 5kW的微波等离子体(MPCVD)装置、用H/CH/HO作为反应气体在较高的沉积 2 4 2 气压( )条件下,研究了基片放置在等离子体球边缘附近不同位置对 金刚石沉积和生长的影响。结果表 12.0kPa CVD 明, 金刚石的形核和生长对环境的要求是不同的;在等离子体球边缘处不利于金刚石的形核,但有利于高质量 CVD 金刚石的沉积。 关键词:化学气相沉积;金刚石;微波等离子体;生长 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) O484.1 A 1006-7086200803-0140-05 CVDDIAMONDFILMSDEPOSITEDBYMICROWAVEPLASMA: EFFECTOFTHESUBSTRATEPOSITION , , , MANWei-dongSUNLeiXIEPengWANGJian-hua ( , HubeiProvinceKeyLaboratoryofPlasmaChemistryAdvancedMaterials , , ) WuhanInstituteofTechnologyWuhan430073China : Abstract Diamondisdepositedbyahome-made5kWmicrowaveplasmaCVDrectorwithaninputmicrowavepowerof 3.5kWatagaspressureof12.0kPausingH/CH/Ogasmixtures.Effectsofdifferentdepositionpositionwerecompared. 2 4 2 Surfacemorphologyaswellasthequalityofthedepositionwereexamined.Theresultsindicatethathighqualitydiamond filmcanbeobtainedifthesubstratewassetattheedgeofplasmaball. : ; ;
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